1200V PIM三相输入整流器

Infineon Technologies 1200V PIM三相输入整流器是EconoPIM™ 2 1200V、100A三相PIM IGBT模块。该整流器设有TRENCHSTOP™ IGBT7、发射器控制7二极管和NTC。功率集成模块 (PIM) 集成整流器和制动斩波器，可节省系统成本。

结果: 7
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 制造商
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数量 RoHS ECAD模型 产品
配置
集电极—发射极最大电压 VCEO
集电极—射极饱和电压
在25 C的连续集电极电流
栅极—射极漏泄电流
最小工作温度
最大工作温度
封装
Infineon Technologies FP35R12N2T7BPSA2
Infineon Technologies IGBT 模块 1200 V, 35 A PIM IGBT module
数据表
14库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.6 V 35 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray


Infineon Technologies IGBT 模块 LOW POWER ECONO
数据表
无库存交货期 12 周
最低： 15
倍数： 15

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.5 V 100 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray


Infineon Technologies IGBT 模块 1200 V, 75 A PIM IGBT module
数据表
无库存交货期 12 周
最低： 15
倍数： 15

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.55 V 75 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies FP35R12N2T7B11BPSA2
Infineon Technologies IGBT 模块 1200 V, 35 A PIM IGBT module
数据表
无库存交货期 12 周
最低： 15
倍数： 15

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.6 V 35 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies FP50R12N2T7B11BPSA2
Infineon Technologies IGBT 模块 1200 V, 50 A PIM IGBT module
数据表
无库存交货期 12 周
最低： 15
倍数： 15

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.5 V 50 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray

Infineon Technologies IGBT 模块 1200 V, 50 A PIM IGBT module
数据表
无库存交货期 12 周
最低： 1
倍数： 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.5 V 50 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies FP75R12N2T7B11BPSA2
Infineon Technologies IGBT 模块 1200 V, 75 A PIM IGBT module
数据表
无库存交货期 12 周
最低： 15
倍数： 15

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.55 V 75 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray