DMP4047SK3-13

Name: Diodes Incorporated DMP4047SK3-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMP4047SK3-13
Price: 7.76 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

621-DMP4047SK3-13

制造商编号：

DMP4047SK3-13

制造商：

Diodes Incorporated

说明：

MOSFET 40V P-Ch Enh FET 45mOhm -10V

数据表:

DMP4047SK3-13 数据表 (PDF)

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

更多信息

了解Diodes Incorporated DMP4047SK3-13详情

库存量: 6,661

库存：: 6,661 可立即发货

出现意外错误。请稍候重试。
生产周期：: 40 周大于所示数量的预计工厂生产时间。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1 最多： 670

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按2500的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥8.7688	¥8.77
	¥5.4466	¥54.47
	¥3.5595	¥355.95
	¥2.7346	¥1,367.30
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）
	¥2.7346	¥6,836.50

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Diodes Incorporated
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	DPAK-3 (TO-252-3)
晶体管极性:	P-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	40 V
Id-连续漏极电流:	20 A
Rds On-漏源导通电阻:	40 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	1 V
Qg-栅极电荷:	23.2 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	1.6 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Diodes Incorporated
配置:	Single
下降时间:	28.6 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	28.2 ns
系列:	DMP40
工厂包装数量:	2500
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 P-Channel
典型关闭延迟时间:	38.8 ns
典型接通延迟时间:	18.5 ns
单位重量:	330 mg

找到的产品:

要显示类似产品，至少选中一个复选框

要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。

已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

DMP4047SK3-13 数据表 (PDF)

PCN

Environmental Compliance (PDF)

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

DMP4047 P-Channel Enhancement Mode MOSFETs

Diodes Inc. DMP4047 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFETs minimize on-state resistance while maintaining superior switching performance. DMP4047 offers a low on-resistance of 55mΩ (max.), -40V drain-source voltage, ±20V gate-source voltage, -1µA zero gate threshold voltage, ±100nA gate source leakage, -3.0V gate threshold voltage (max.), and a 8.5ns turn-on delay time. The device is ideal for high efficiency power management applications such as backlighting, DC-DC converters, and power management functions.

Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.