DMP4047SK3-13

Name: Diodes Incorporated DMP4047SK3-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMP4047SK3-13
Price: 7.25 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

621-DMP4047SK3-13

制造商编号：

DMP4047SK3-13

制造商：

Diodes Incorporated

说明：

MOSFET 40V P-Ch Enh FET 45mOhm -10V

数据表:

DMP4047SK3-13 数据表 (PDF)

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¥-.--

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封装:

整卷卷轴（请按2500的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥8.1925	¥8.19
	¥5.0963	¥50.96
	¥3.3222	¥332.22
	¥2.5538	¥1,276.90
	¥2.3165	¥2,316.50
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）
	¥1.7741	¥4,435.25
	¥1.7063	¥8,531.50
	¥1.6159	¥16,159.00

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Diodes Incorporated
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	DPAK-3 (TO-252-3)
晶体管极性:	P-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	40 V
Id-连续漏极电流:	20 A
Rds On-漏源导通电阻:	40 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	1 V
Qg-栅极电荷:	23.2 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	1.6 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Diodes Incorporated
配置:	Single
下降时间:	28.6 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	28.2 ns
系列:	DMP40
工厂包装数量:	2500
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 P-Channel
典型关闭延迟时间:	38.8 ns
典型接通延迟时间:	18.5 ns
单位重量:	330 mg

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已选择的属性: 0

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数据表

DMP4047SK3-13 数据表 (PDF)

PCN

Environmental Compliance (PDF)

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.

DMP4047 P-Channel Enhancement Mode MOSFETs

Diodes Inc. DMP4047 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFETs minimize on-state resistance while maintaining superior switching performance. DMP4047 offers a low on-resistance of 55mΩ (max.), -40V drain-source voltage, ±20V gate-source voltage, -1µA zero gate threshold voltage, ±100nA gate source leakage, -3.0V gate threshold voltage (max.), and a 8.5ns turn-on delay time. The device is ideal for high efficiency power management applications such as backlighting, DC-DC converters, and power management functions.