NTBL032N065M3S

Name: onsemi NTBL032N065M3S
Brand: onsemi
SKU: 863-NTBL032N065M3S
Price: 60.54 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

863-NTBL032N065M3S

制造商编号：

NTBL032N065M3S

制造商：

onsemi

说明：

碳化硅MOSFET SIC MOS TOLL 32MOHM 650V M3S

寿命周期:

新产品:

此制造商的新产品。

数据表:

NTBL032N065M3S 数据表

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

更多信息

了解onsemi NTBL032N065M3S详情

库存量: 1,828

库存：: 1,828 可立即发货

出现意外错误。请稍候重试。
生产周期：: 18 周大于所示数量的预计工厂生产时间。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥68.4102	¥68.41
	¥49.7991	¥497.99
	¥41.5275	¥4,152.75
	¥37.2222	¥18,611.10
整卷卷轴（请按2000的倍数订购）
	¥31.5157	¥63,031.40

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	碳化硅MOSFET
RoHS:
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	H-PSOF-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	650 V
Id-连续漏极电流:	55 A
Rds On-漏源导通电阻:	44 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 8 V, + 22 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4 V
Qg-栅极电荷:	55 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	227 W
通道模式:	Enhancement
商标:	onsemi
配置:	Single
下降时间:	9 ns
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
产品:	SiC MOSFETS
产品类型:	SiC MOSFETS
上升时间:	12 ns
系列:	NTBL032N065M3S
工厂包装数量:	2000
子类别:	Transistors
技术:	SiC
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	31 ns
典型接通延迟时间:	8.8 ns

找到的产品:

要显示类似产品，至少选中一个复选框

要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。

已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

NTBL032N065M3S 数据表

USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

NTBL032N065M3S碳化矽（SiC）MOSFET

onsemi NTBL032N065M3S碳化矽（SiC）MOSFET专为快速开关应用而设计，在负栅极电压驱动和关断尖峰时性能可靠。onsemi NTBL032N065M3S MOSFET针对18V栅极驱动进行了优化，在15V驱动下也有良好表现。TOLL封装采用开尔文源配置，减少了寄生源电感，从而提高了热性能和开关性能。这些设备还符合湿度灵敏度等级1级（MSL 1）标准。