RBQxxBGE肖特基势垒二极管

ROHM Semiconductor RBQxxBGE肖特基势垒二极管采用硅外延平面结构，具有45V或65V重复峰值反向电压。RBQxxBGE肖特基势垒二极管具有高可靠性、低IR和阴极公共双类型。ROHM RBQxxBGE二极管设计用于开关电源应用。

结果: 6
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数量 RoHS ECAD模型 产品
安装风格
封装 / 箱体
配置
技术
If - 正向电流
Vrrm - 重复反向电压
Vf - 正向电压
Ifsm - 正向浪涌电流
Ir - 反向电流
最大工作温度
封装
ROHM Semiconductor 肖特基二极管与整流器 Schottky Barrier Diode 65V, 10A, TO-252, Cathode Common, Low IR
数据表
2,483库存量
最低： 1
倍数： 1
: 2,500

Schottky Diodes SMD/SMT TO-252-3 Dual Anode Common Cathode Si 10 A 65 V 690 mV 50 A 70 uA + 150 C Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor 肖特基二极管与整流器 Schottky Barrier Diode 65V, 15A, TO-252, Cathode Common, Low IR
数据表
2,049库存量
最低： 1
倍数： 1
: 2,500

Schottky Diodes SMD/SMT TO-252-3 Dual Anode Common Cathode Si 15 A 65 V 560 mV 100 A 30 uA + 150 C Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor 肖特基二极管与整流器 Schottky Barrier Diode 45V, 20A, TO-252, Cathode Common, Low IR
数据表
1,767库存量
最低： 1
倍数： 1
: 2,500

Schottky Diodes SMD/SMT TO-252-3 Dual Anode Common Cathode Si 20 A 45 V 590 mV 100 A 200 uA + 150 C Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor 肖特基二极管与整流器 Schottky Barrier Diode 65V, 20A, TO-252, Cathode Common, Low IR
数据表
1,152库存量
最低： 1
倍数： 1
: 2,500

Schottky Diodes SMD/SMT TO-252-3 Dual Anode Common Cathode Si 20 A 65 V 630 mV 100 A 200 uA + 150 C Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor 肖特基二极管与整流器 Schottky Barrier Diode 45V, 15A, TO-252, Cathode Common, Low IR
数据表
603库存量
最低： 1
倍数： 1
: 2,500

Schottky Diodes SMD/SMT TO-252-3 Dual Anode Common Cathode Si 15 A 45 V 510 mV 100 A 30 uA + 150 C Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor 肖特基二极管与整流器 Schottky Barrier Diode 45V, 10A, TO-252, Cathode Common, Low IR
数据表
无库存交货期 16 周
最低： 1
倍数： 1
: 2,500

Schottky Diodes SMD/SMT TO-252-3 Dual Anode Common Cathode Si 10 A 45 V 650 mV 50 A 70 uA + 150 C Reel, Cut Tape