NTHL025N065SC1

Name: onsemi NTHL025N065SC1
Brand: onsemi
SKU: 863-NTHL025N065SC1
Price: 113.17 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

863-NTHL025N065SC1

制造商编号：

NTHL025N065SC1

制造商：

onsemi

说明：

碳化硅MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 19 mohm, 650 V, M2, TO-247-3L

数据表:

NTHL025N065SC1 数据表

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

更多信息

了解onsemi NTHL025N065SC1详情

库存量: 1,292

库存：: 1,292 可立即发货

出现意外错误。请稍候重试。
生产周期：: 18 周大于所示数量的预计工厂生产时间。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥127.8821	¥127.88
	¥106.3782	¥1,063.78
	¥103.8131	¥10,381.31
	¥96.615	¥43,476.75
	¥95.6997	¥86,129.73

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	碳化硅MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-247-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	650 V
Id-连续漏极电流:	99 A
Rds On-漏源导通电阻:	28.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 8 V, + 22 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4.3 V
Qg-栅极电荷:	164 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	348 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	EliteSiC
商标:	onsemi
配置:	Single
下降时间:	9 ns
正向跨导 - 最小值:	27 S
封装:	Tube
产品类型:	SiC MOSFETS
上升时间:	51 ns
系列:	NTHL025N065SC1
工厂包装数量:	450
子类别:	Transistors
技术:	SiC
典型关闭延迟时间:	34 ns
典型接通延迟时间:	18 ns

找到的产品:

要显示类似产品，至少选中一个复选框

要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。

已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

NTHL025N065SC1 数据表

PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

M2 EliteSiC MOSFET

安森美M2 EliteSiC MOSFET提供650VMHz、750VMHz和1200V电压选项。安森美M2 MOSFET有多种封装可供选择，包括D2PAK7、H-PSOF8L、TDFN4 8x8、TO-247-3LD和TO-247-4LD。MOSFET在设计和实施方面提供了灵活性。此外，M2 EliteSiC MOSFET具有+22V/-8V的最大栅极-源极电压、低R_DS(on) 和长短路耐受时间（SCWT）。

NTHL025N065SC1碳化硅 (SiC) MOSFET

安森美 (onsemi) NTHL025N065SC1碳化硅(SiC) MOSFET具有出色的开关性能和更高的可靠性。该MOSFET具有导通电阻，其紧凑的芯片尺寸可确保低电容和低栅极电荷。因此，系统优势包括最高效率、更快工作频率、更高功率密度、更低EMI以及更小的系统尺寸。

650V碳化硅 (SiC) MOSFET

安森美（onsemi）650V碳化硅 (SiC) MOSFET与硅器件(Si)相比可提供出色的开关性能和更高的可靠性。650V SiC MOSFET具有低导通电阻，采用紧凑的芯片尺寸，可确保低电容和低栅极电荷。优势包括效率高、工作频率快、功率密度高、EMI低以及系统尺寸小。

栅极驱动器与EliteSiC的配对MOSFET

电动汽车充电、能量储存、不间断电力系统 (UPS) 和太阳能等能源基础设施应用正在将系统功率水平提升到数百千瓦甚至兆瓦。这些大功率应用采用半桥、全桥和三相拓扑，逆变器和BLDC的工作循环多达六个开关。根据功率等级和开关速度，系统设计人员需要采用各种开关技术，包括硅、IGBT和SiC，以满足最佳应用要求。