MMBFJ110

Name: onsemi MMBFJ110
Brand: onsemi
SKU: 512-MMBFJ110
Price: 5.49 RMB
Availability: InStock

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请参阅产品规格

Mouser编号：

512-MMBFJ110

制造商编号：

MMBFJ110

制造商：

onsemi

说明：

JFET N-CH FET/SSOT-23

数据表:

MMBFJ110 数据表

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封装:

整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥6.2037	¥6.20
	¥3.8646	¥38.65
	¥2.486	¥248.60
	¥1.8984	¥949.20
	¥1.695	¥1,695.00
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
	¥1.356	¥4,068.00

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	JFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	SSOT-3
晶体管极性:	N-Channel
配置:	Single
Vds-漏源极击穿电压:	- 25 V
Vgs-栅源极击穿电压 :	- 25 V
Id-连续漏极电流:	10 mA
Rds On-漏源导通电阻:	18 Ohms
Pd-功率耗散:	460 mW
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
系列:	MMBFJ110
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	onsemi
产品类型:	JFETs
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
单位重量:	40 mg

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已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

MMBFJ110 数据表

PCN

合规代码

CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
KRHTS:: 8541219000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 菲律宾
组装原产国/地区:: 菲律宾
扩散国家:: 日本

发货时，国家/地区可能会发生变化。

MMBFJ110 25V N-Channel JFET

onsemi MMBFJ110 25V N-Channel JFET is designed for digital switching applications where very low on-resistance is mandatory. The MMBFJ110 N-Channel JFET has a drain-gate voltage of 25 volts and a drain-source on-resistance of 18Ω. The total dissipation for this device is 460 mW. The onsemi MMBFJ110 25V N-Channel JFET comes in a compact SuperSOT-3 package to help save board space.