DMN52D0UV-7

Diodes Incorporated
621-DMN52D0UV-7
DMN52D0UV-7

制造商：

说明：
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT563 T&R 3K

数据表:
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产品属性 属性值 选择属性
Diodes Incorporated
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
SOT563-6
N-Channel
2 Channel
50 V
480 mA
2 Ohms
- 12 V, 12 V
490 mV
1.5 nC
- 55 C
+ 150 C
890 mW
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: Diodes Incorporated
配置: Dual
下降时间: 38.5 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 11.3 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
典型关闭延迟时间: 33 ns
典型接通延迟时间: 1.05 ns
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已选择的属性: 0

数据表

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合规代码
CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541210095
JPHTS:
854121000
TARIC:
8541210000
MXHTS:
8541210100
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

DMN52D0UV N沟道增强模式MOSFET

Diodes Incorporated DMN52D0UV N沟道增强模式MOSFET是一款双路N沟道MOSFET，设计用于最大限度地降低RDS(ON)，并保持出色的开关性能。该MOSFET具有低输入电容、快速开关速度、低输入/输出漏电流和超小型表面贴装封装。DMN52D0UV MOSFET具有ESD保护功能，无铅，符合RoHS指令，不含卤素和锑。该MOSFET具有极低栅极阈值电压，可在-55°C至150°C温度范围内工作。典型应用包括电池管理系统、电源管理功能和负载开关。

供货情况

库存：
0

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在途量:
2,921
预期 2027/6/30
6,000
预期 2027/7/2
生产周期：
32
周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
本产品所报告的交付时间长。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥4.2149 ¥4.21
¥2.5764 ¥25.76
¥1.356 ¥135.60
¥1.00909 ¥504.55
¥0.90174 ¥901.74
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
¥0.75258 ¥2,257.74
¥0.678 ¥4,068.00
¥0.57856 ¥5,207.04
¥0.5537 ¥13,288.80
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

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