下一代反向导通IGBT

Infineon Technologies 650V/1200V/1350V/1600V下一代反向导通IGBT将TRENCHSTOP™系列的性能与创新性反向导通RC-H IGBT技术相结合，打造了新一代最佳器件。这些器件具有更高的开关频率、低功耗以及经过改进的热管理，可靠性极高。

结果: 17
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描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 技术
封装 / 箱体
安装风格
配置
集电极—发射极最大电压 VCEO
集电极—射极饱和电压
栅极/发射极最大电压
在25 C的连续集电极电流
Pd-功率耗散
最小工作温度
最大工作温度
系列
封装


Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) HOME APPLIANCES
数据表
235库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole Single 1.1 kV 1.55 V - 25 V, 25 V 60 A 330 W - 40 C + 175 C IHW30N110 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) HOME APPLIANCES
数据表
1,278库存量
11,253在途量
最低： 1
倍数： 1
最大： 120

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.6 kV 1.85 V - 20 V, 20 V 60 A 263 W - 40 C + 175 C IGBT RC Soft Switching Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) HOME APPLIANCES
数据表
1,844库存量
1,440预期 2026/9/3
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.55 V - 20 V, 20 V 80 A 394 W - 40 C + 175 C IGBT RC Soft Switching Tube

Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT PRODUCTS TrenchStop
数据表
425库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.55 V - 20 V, 20 V 40 A 288 W - 40 C + 175 C RC Tube

Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT PRODUCTS TrenchStop RC
数据表
447库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.35 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 40 A 288 W - 40 C + 175 C RC Tube

Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT PRODUCTS TrenchStop RC
数据表
510库存量
最低： 1
倍数： 1
最大： 30

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.35 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 40 A 288 W - 40 C + 175 C IGBT RC Soft Switching Tube

Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT PRODUCTS TrenchStop 5
数据表
436库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 40 A 150 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP 5 RC-H Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) HOME APPLIANCES
数据表
21库存量
7,200在途量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.55 V - 20 V, 20 V 60 A 330 W - 40 C + 175 C IGBT RC Soft Switching Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) HOME APPLIANCES
数据表
58库存量
720预期 2026/6/18
最低： 1
倍数： 1
最大： 10

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.35 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 60 A 330 W - 40 C + 175 C IGBT RC Soft Switching Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) HOME APPLIANCES
数据表
210库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 60 A 176 W - 40 C + 175 C IGBT RC Soft Switching Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650 V, 30 A IGBT with monolithically integrated diode in TO-247 package
数据表
83库存量
480预期 2026/5/18
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole Single 650 V 1.26 V - 20 V, 20 V 65 A 163 W - 40 C + 175 C Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) HOME APPLIANCES
数据表
220库存量
240预期 2026/8/13
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.35 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 80 A 394 W - 40 C + 175 C IGBT RC Soft Switching Tube

Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT PRODUCTS TrenchStop 5
数据表
2库存量
480预期 2026/7/2
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 80 A 230 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP 5 RC-H Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT PRODUCTS TrenchStop 5
数据表
30库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 80 A 282 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP 5 RC-H Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT PRODUCTS TrenchStop 5
数据表
430库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 80 A 282 W - 40 C + 175 C IGBT RC Soft Switching Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650 V, 40 A IGBT with monolithically integrated diode in TO-247 package
数据表
479在途量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole Single 650 V 1.29 V - 20 V, 20 V 83 A 210 W - 40 C + 175 C Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650 V, 50 A IGBT with monolithically integrated diode in TO-247 package
数据表
240预期 2026/5/18
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole Single 650 V 1.3 V - 20 V, 20 V 100 A 251 W - 40 C + 175 C Tube