NVBLS1D5N10MCTXG

onsemi
863-NVBLS1D5N10MCTXG
NVBLS1D5N10MCTXG

制造商:

说明:
MOSFET PTNG 100V STD TOLL

ECAD模型:
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库存量: 5,575

库存:
5,575 可立即发货
生产周期:
17 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴(请按2000的倍数订购)

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™
¥61.6189 ¥61.62
¥43.0982 ¥430.98
¥32.8378 ¥3,283.78
¥32.2615 ¥32,261.50
整卷卷轴(请按2000的倍数订购)
¥27.9562 ¥55,912.40
4,000 报价
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
H-PSOF-8
N-Channel
1 Channel
100 V
300 A
3.9 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
131 nC
- 55 C
+ 175 C
331 W
Enhancement
PowerTrench
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: onsemi
配置: Single
下降时间: 90 ns
正向跨导 - 最小值: 230 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 71 ns
系列: NVBLS1D5N10MC
工厂包装数量: 2000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 83 ns
典型接通延迟时间: 39 ns
找到的产品:
要显示类似产品,至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品,请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

NVBLS1D5N10MC N沟道PowerTrench® MOSFET

安森美 NVBLS1D5N10MC N沟道PowerTrench® MOSFET具有卓越的热性能和低RDS(on),可最大限度地降低导通损耗。NVBLS1D5N10MC符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能,非常适合用于汽车应用。