M1F45M12W2-1LA

Name: STMicroelectronics M1F45M12W2-1LA
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-M1F45M12W2-1LA
Price: 385.69 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

511-M1F45M12W2-1LA

制造商编号：

M1F45M12W2-1LA

制造商：

STMicroelectronics

说明：

MOSFET模块 Automotive-grade ACEPACK DMT-32 power module, fourpack topology, 1200V 47.5 mOhm

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	MOSFET模块
RoHS:
技术:	SiC
安装风格:	SMD/SMT
晶体管极性:	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:	1.2 kV
Id-连续漏极电流:	30 A
Rds On-漏源导通电阻:	7.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 5 V, + 18 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	1.9 V
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 175 C
封装:	Tube
商标:	STMicroelectronics
产品类型:	MOSFET Modules
资格:	AEC-Q100
工厂包装数量:	11
子类别:	Discrete and Power Modules
类型:	Automotive Grade Power Module

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合规代码

CNHTS:: 8504409100
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

M1F45M12W2-1LA ACEPACK DMT‑32电源模块

STMicroelectronics M1F45M12W2-1LA ACEPACK DMT‑32电源模块设计用于混合动力和电动汽车的直流/直流转换器级。M1F45M12W2-1LA采用带集成NTC的四单元拓扑。该器件包含STMicroelectronics的四个第二代碳化硅功率MOSFET。M1F45M12W2-1LA平衡了能源效率和高开关频率，实现了具有高功率密度和高效率的复杂拓扑。STMicroelectronics器件采用AlN绝缘基板，可确保出色的散热性能，并且采用槽形设计，可提高爬电距离，从而提高安全性。