SQD50P04-09L_NE3

Vishay Semiconductors
78-SQD50P04-09L_NE3
SQD50P04-09L_NE3

制造商:

说明:
MOSFET Automotive Dual P-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFET

寿命周期:
新产品:
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ECAD模型:
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产品属性 属性值 选择属性
Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
TO-252-2
P-Channel
1 Channel
40 V
50 A
0.0094 Ohms
20 V
2.5 V
103 nC
- 55 C
+ 175 C
136 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: Vishay Semiconductors
配置: Single
下降时间: 19 ns
正向跨导 - 最小值: 46 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 15 ns
系列: SQD50P04-09L
工厂包装数量: 2000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 61 ns
典型接通延迟时间: 13 ns
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已选择的属性: 0

合规代码
USHTS:
8541290055
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国台湾
组装原产国/地区:
中国台湾
扩散国家:
中国台湾
发货时,国家/地区可能会发生变化。

SQD50P04-09L 40V汽车级P沟道功率MOSFET

Vishay Semiconductors SQD50P04-09L 40V汽车级P沟道功率MOSFET的漏源电压(VDS)为-40V、连续漏极电流(ID)为-50A(TC = 25°C或125°C时)。这款TrenchFET®功率MOSFET采用低热阻封装,符合IEC 61249-2-21定义的无卤素标准,且通过AEC-Q101认证。Vishay Semiconductors SQD50P04-09L具有低导通电阻,VGS = -10V、ID = -17A时RDS(on)最大值为0.0094Ω,VGS = -4.5V、ID = -14A时为0.019Ω。这些特点使该器件非常适合汽车、配电和工业功率控制应用。

供货情况

库存:
0

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在途量:
2,000
预期 2026/11/13
生产周期:
16
周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
数量大于2000的订购须受最低订购要求的限制。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴(请按2000的倍数订购)

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥20.7581 ¥20.76
¥13.1532 ¥131.53
¥8.8479 ¥884.79
¥7.2094 ¥3,604.70
¥6.4636 ¥6,463.60
整卷卷轴(请按2000的倍数订购)
¥6.0342 ¥12,068.40
¥5.7291 ¥22,916.40
¥5.198 ¥51,980.00
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩