6EDL04x065xT系列

英飞凌6EDL04x065xT系列包括全桥驱动器，设计目的是控制三相系统中的MOSFET或IGBT，最大阻断电压为+650V。  英飞凌6EDL04x065xT采用SOI技术制造，具有高瞬态电压稳定性，并消除了寄生晶闸管结构，确保在任何温度或电压条件下均不会发生闭锁。六个独立驱动器的低侧由CMOS或LSTTL兼容信号控制，支持低至3.3V的逻辑电平。 其他功能还包括带迟滞的欠压检测和可调过流保护，通过电阻器和ITRIP引脚阈值进行配置。