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IPB017N10N5LFATMA1

Name: Infineon IPB017N10N5LFATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPB017N10N5LFATM
Price: 50.14 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

726-IPB017N10N5LFATM

制造商编号：

IPB017N10N5LFATMA1

制造商：

Infineon Technologies

说明：

MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS

数据表:

IPB017N10N5LFATMA1 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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库存量: 239

库存：: 239

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在途量:: 2,000

预期 2026/3/18

6,000

预期 2026/5/28
生产周期：: 16

周大于所示数量的预计工厂生产时间。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按1000的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥56.6582	¥56.66
	¥38.2166	¥382.17
	¥28.2839	¥2,828.39
整卷卷轴（请按1000的倍数订购）
	¥22.9955	¥22,995.50

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Infineon
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	TO-263-7
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	100 V
Id-连续漏极电流:	180 A
Rds On-漏源导通电阻:	1.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.2 V
Qg-栅极电荷:	210 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	375 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	OptiMOS
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Infineon Technologies
配置:	Single
下降时间:	27 ns
正向跨导 - 最小值:	132 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	23 ns
系列:	OptiMOS 5
工厂包装数量:	1000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	80 ns
典型接通延迟时间:	33 ns
零件号别名:	IPB017N10N5LF SP001503850
单位重量:	1.600 g

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
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ECCN:: EAR99

轻型电动车 (LEV) 解决方案

Infineon轻型电动车 (LEV) 解决方案顺应了全球汽车行业发展趋势，其零排放解决方案可以满足不断增长的超大城市的需求。LEV采用新技术，可实现具有更高功率效率、更小尺寸、更轻重量和更低成本的解决方案。与汽油或电池驱动的电动汽车相比，LEV的成本更低，因此经济划算并且对正在日益倾向于拥有更多电动汽车的新兴市场具有吸引力。