结果: 557
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数量 RoHS ECAD模型 技术
封装 / 箱体
安装风格
配置
集电极—发射极最大电压 VCEO
集电极—射极饱和电压
栅极/发射极最大电压
在25 C的连续集电极电流
Pd-功率耗散
最小工作温度
最大工作温度
系列
封装
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V, 50A, XPT Gen5 C5 IGBT in TO-263
数据表
75库存量
300预期 2026/12/23
最低： 1
倍数： 1

Si TO-263AB-2 SMD/SMT Single 650 V 1.67 V 20 V 110 A 650 W - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V, 55A, XPT Gen5 B5 IGBT in TO-263
数据表
77库存量
300预期 2026/11/6
最低： 1
倍数： 1

Si TO-263-2L SMD/SMT Single 650 V 1.3 V 20 V 122 A 395 W - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V, 100A, XPT Gen5 C5 IGBT in TO-247AD
数据表
70库存量
300预期 2026/11/6
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.68 V 20 V 230 A 750 W - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO268 3KV 42A IGBT
数据表
2,747库存量
最低： 1
倍数： 1

Si D3PAK-3 (TO-268-3) SMD/SMT Single 3 kV 3 V - 25 V, 25 V 104 A 500 W - 55 C + 150 C Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 4000V 425ns IGBT
数据表
1,894库存量
最低： 1
倍数： 1

Si ISOPLUS264-3 Through Hole Single 4 kV 3.2 V - 20 V, 20 V 90 A 380 W - 40 C + 125 C IXEL40N400 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Disc IGBT XPT Gen4 1200V 140A TO264
数据表
2,905库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-264-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.7 V - 20 V, 20 V 480 A 1.5 kW - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) BIMOSFET 1700V 75A
数据表
3,217库存量
最低： 1
倍数： 1

Si D3PAK-3 (TO-268-3) SMD/SMT Single 1.7 kV 2.8 V - 20 V, 20 V 80 A 360 W - 55 C + 150 C IXBT42N170 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 32 Amps 1700 V 5 V Rds
数据表
1,240库存量
最低： 1
倍数： 1

Si D3PAK-3 (TO-268-3) SMD/SMT Single 1.7 kV 5 V - 20 V, 20 V 16 A 190 W - 55 C + 150 C IXGT16N170 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 2500V/95A , HV XPT IGBT
数据表
746库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-PLUS-HV-3 Through Hole Single 2.5 kV 4 V - 20 V, 20 V 95 A 937 W - 55 C + 175 C High Voltage Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) PLUS247 1700V 50A XPT
数据表
804库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-PLUS-3 Through Hole Single 1.7 kV 3.7 V - 20 V, 20 V 178 A 1.5 kW - 55 C + 175 C Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) SMPDB 3KV 22A IGBT
数据表
262库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT Quad 3 kV 2.7 V - 20 V, 20 V 38 A 150 W - 55 C + 150 C Tube

IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1700V 16A
数据表
1,155库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.7 kV 6 V - 20 V, 20 V 16 A 190 W - 55 C + 150 C IXBH16N170 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO247 3KV 32A IGBT
数据表
201库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 3 kV 2.8 V - 20 V, 20 V 80 A 400 W - 55 C + 150 C Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) XPT 600V IGBT 300A
数据表
684库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-PLUS-3 Through Hole Single 600 V 1.6 V - 20 V, 20 V 550 A 2.3 kW - 55 C + 175 C IXXX300N60 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO247 1200V 85A XPT
数据表
1,390库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.8 V - 20 V, 20 V 300 A 1.15 kW - 55 C + 175 C Trench Tube

IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) XPT thin-wafer technology, 4th generation (Gen 4) Trench IGBT. Disc IGBT Gen 4 XPT PLUS247
数据表
1,256库存量
150预期 2026/6/15
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V - 20 V, 20 V 340 A 1.36 kW - 55 C + 175 C 1200V XPTTM Gen 4 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V/170A XPT C3-Class TO-247
数据表
172库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 650 V 2.3 V - 20 V, 20 V 170 A 750 W - 55 C + 175 C IXYH75N65 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO264 1200V 110A GENX4
数据表
94库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-264-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.8 V - 20 V, 20 V 375 A 1.36 kW - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) XPT 600V IGBT 300A
数据表
62库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole Single 600 V 1.6 V - 20 V, 20 V 550 A 2.3 kW - 55 C + 175 C IXXK300N60 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 12 Amps 1700V 3.6 Rds
数据表
258库存量
最低： 1
倍数： 1

Si D3PAK-3 (TO-268-3) SMD/SMT Single 1.7 kV 3.4 V - 20 V, 20 V 12 A 75 W - 55 C + 150 C IXBT6N170 Tube

IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 32 Amps 1700 V 5 V Rds
数据表
1,057库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 1.7 kV 4.2 V - 20 V, 20 V 16 A 190 W - 55 C + 150 C IXGH16N170 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 1200V 20A
数据表
479库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-220AB-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.5 V - 20 V, 20 V 40 A 180 W - 55 C + 150 C IXGP20N120 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) XPT 600V IGBT GenX3 XPT IGBT
数据表
499库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 600 V 1.85 V - 20 V, 20 V 60 A 270 W - 55 C + 175 C IXXH30N60 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V/370A TRENCH IGBT GENX4 XPT
数据表
455库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-264-3 Through Hole Single 650 V 1.7 V - 20 V, 20 V 480 A 1.63 kW - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) BIMOSET 42A 1700V
数据表
287库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.7 kV 6 V - 20 V, 20 V 42 A 357 W - 55 C + 150 C IXBH42N170 Tube