SIHS90N65E-GE3

Name: Vishay SIHS90N65E-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SIHS90N65E-GE3
Price: 170.56 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

78-SIHS90N65E-GE3

制造商编号：

SIHS90N65E-GE3

制造商：

Vishay / Siliconix

说明：

MOSFET SPR247 650V 87A N-CH MOSFET

数据表:

SIHS90N65E-GE3 数据表

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Vishay
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	Super-247-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	650 V
Id-连续漏极电流:	87 A
Rds On-漏源导通电阻:	29 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 30 V, 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4 V
Qg-栅极电荷:	394 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	625 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Tube
商标:	Vishay / Siliconix
配置:	Single
下降时间:	267 ns
正向跨导 - 最小值:	32 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	152 ns
系列:	SIHS E
工厂包装数量:	480
子类别:	Transistors
晶体管类型:	E Series Power MOSFET
典型关闭延迟时间:	323 ns
典型接通延迟时间:	85 ns

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数据表

SIHS90N65E-GE3 数据表

Models

Technical Resources

TO-274AA (High Voltage)

合规代码

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

SiHS90N65E功率MOSFET

Vishay/Siliconix SiHS90N65E功率MOSFET具有低品质因数、低输入电容和超低栅极电荷。SiHS90N65E功率MOSFET具有700V漏源电压，优化用于降低开关和导通损耗。Vishay/Siliconix SiHS90N65E功率MOSFET适合用于服务器和电信电源、照明和工业应用。