OptiMOS™ 7 100V车规级功率MOSFET

英飞凌OptiMOS™ 7 100V车规级功率MOSFET是先进的N沟道设备,专为现代汽车架构中的高效功率开关而设计。这些100V MOSFET基于OptiMOS™ 7技术打造,可提供极低的导通电阻、快速开关特性和高雪崩能力,能够在保持出色耐用性和热性能的同时,降低导通损耗和开关损耗。这些特性支持在紧凑型封装中实现高功率密度设计,非常适合要求可靠性、效率和稳定运行的严苛汽车环境。

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选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 封装
Infineon Technologies MOSFET 100 V, N-Ch, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T (5x7) 2,000库存量
最低: 2,000
倍数: 2,000
: 2,000

Si SMD/SMT PG-LHDSO-10 N-Channel 1 Channel 100 V 206 A 2.9 mOhms - 20 V, 20 V 3.2 V 93 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement Reel
Infineon Technologies MOSFET 100 V, N-Ch, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T (5x7) 3,968库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,000

Si SMD/SMT LHDSO-10 N-Channel 1 Channel 100 V 27 A 28.6 mOhms 20 V 2 V 9 nC - 55 C + 175 C 45 W Enhancement Reel, Cut Tape