GaN 场效应晶体管

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QPD1426/QPD1426L GaN射频晶体管

Qorvo QPD1426/QPD1426L GaN射频功率晶体管是220W分立式GaN-on-SiC HEMT，工作频率为1.2GHz至1.4GHz，通常提供53.5dBm的饱和输出功率，大信号增益为17dB，漏极效率为70%。

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选择	图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	RoHS	ECAD模型	安装风格	封装 / 箱体	晶体管极性	通道数量	Id-连续漏极电流	最小工作温度	最大工作温度	Pd-功率耗散	最大工作频率	最小工作频率	技术
	GaN 场效应晶体管 1.2 - 1.4 GHz, 220 W GaN on SiC RF Transistor QPD1426 Qorvo 1: ¥4,494.0552 10预期 2026/11/26 新产品	制造商零件编号 QPD1426 Mouser 零件编号 772-QPD1426 新产品	Qorvo	GaN 场效应晶体管 1.2 - 1.4 GHz, 220 W GaN on SiC RF Transistor 了解更多关于Qorvo qpd1426 gan rf power transistor 的信息	数据表	10预期 2026/11/26	¥4,494.0552 ¥3,889.234 ¥3,737.927	最低： 1 倍数： 1			SMD/SMT	NI-400-2	N-Channel	1 Channel	7 A	- 40 C	+ 85 C	221 W	2 GHz	0 Hz	GaN-on-SiC
	GaN 场效应晶体管 1.2 - 1.4 GHz, 220 W GaN on SiC RF Transistor QPD1426L Qorvo 1: ¥4,494.0552 10预期 2026/11/26 新产品	制造商零件编号 QPD1426L Mouser 零件编号 772-QPD1426L 新产品	Qorvo	GaN 场效应晶体管 1.2 - 1.4 GHz, 220 W GaN on SiC RF Transistor 了解更多关于Qorvo qpd1426 gan rf power transistor 的信息	数据表	10预期 2026/11/26	¥4,494.0552 ¥3,889.234 ¥3,737.927	最低： 1 倍数： 1			SMD/SMT	NI-400-2	N-Channel	1 Channel	7 A	- 40 C	+ 85 C	221 W	2 GHz	0 Hz	GaN-on-SiC

QPD1426/QPD1426L GaN射频晶体管

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