高压反向导通 (BiMOSFET™) IGBT

IXYS超高压系列2500V - 3600V反向导通 (BiMOSFET™) IGBT将MOSFET和IGBT的优势相结合。这些高压器件的饱和电压和内置二极管的正向电压降均具有正电压温度系数，因此非常适合用于并联运行。“自由”内置体二极管用作保护二极管，为器件关断期间的感性负载电流提供替代路径，防止高Ldi/dt电压瞬变对器件造成损坏。

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封装 / 箱体
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 3600V/125A Reverse Conducting IGBT
数据表
448库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-PLUS-HV-3
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO268 3KV 42A IGBT
数据表
2,787库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Transistors Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)

IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Disc IGBT BiMSFT-VeryHiVolt TO-247AD
数据表
281库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3

IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) PLUS247 2500V 25A IGBT
数据表
224库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 3600V/45A Reverse Conducting IGBT
数据表
307库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Transistors Si Through Hole ISOPLUS i4-PAC-3
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO247 2500V 42A HI GAIN
数据表
334库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247AD-3
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO268 3KV 12A BIMOSFET
数据表
277库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Transistors Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)


IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Disc IGBT BiMSFT-VeryHiVolt TO-247AD
数据表
127库存量
最低： 1
倍数： 1
IGBT Transistors Si Through Hole TO-247HV-3
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO268 2500V 2A IGBT
数据表
8库存量
720预期 2026/3/11
最低： 1
倍数： 1

IGBT Transistors Si SMD/SMT TO-247-3
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO264 3KV 55A BIMOSFET
数据表
1,275预期 2026/7/22
最低： 1
倍数： 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-264-3

IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO247 3KV 12A IGBT
数据表
300预期 2026/4/1
最低： 1
倍数： 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Disc IGBT BiMSFT-VeryHiVolt I4-PAK ISO+
数据表
无库存交货期 27 周
最低： 300
倍数： 25

IGBT Transistors Si Through Hole ISOPLUS i4-3
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) ISOPLUS 3KV 22A IGBT
数据表
无库存交货期 34 周
最低： 300
倍数： 25

IGBT Transistors Si Through Hole ISOPLUS i4-3
IXYS MOSFET ISOPLUS 3KV 24A DIODE
数据表
无库存交货期 57 周
最低： 300
倍数： 25

MOSFETs Si Through Hole ISOPLUS-i4-PAK-3
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) High Voltage High Gain BIMOSFET
数据表
无库存交货期 57 周
最低： 300
倍数： 25

IGBT Transistors Si Through Hole ISOPLUS i4-PAC-3
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO247 3KV 10A IGBT
数据表
无库存交货期 57 周
最低： 300
倍数： 30

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247HV-3
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) BIMOSFET 2500V 75A
数据表
无库存交货期 80 周
最低： 300
倍数： 25

IGBT Transistors Si Through Hole TO-264-3
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 3600V/92A Rev Conducting IGBT
数据表
无库存交货期 39 周
最低： 25
倍数： 25

IGBT Transistors Si Through Hole ISOPLUS i5-PAC-3
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) MOSFET 2500V 46A ISOPLUS I5-PAK
数据表
无库存交货期 57 周
最低： 300
倍数： 25

IGBT Transistors Si Through Hole ISOPLUS i5-PAC-3