CoolSiC™ JFET晶体管

英飞凌CoolSiC™ JFET晶体管通过升级的保护和开关架构,实现新一代固态配电,为稳健、高效的固态解决方案提供支持。这些晶体管采用XT互连技术,确保在脉冲和循环负载下具有更好的热性能和高稳健性。基于CoolSiC™ JFET的固态设计可实现更高的开关速度,并允许进行快速故障隔离,降低系统损坏风险,最大限度地减少停机时间,并有助于延长系统寿命。典型应用包括人工智能数据中心、固态保护、工业电力系统、电机软启动器和浪涌保护。

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选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 配置 Vds-漏源极击穿电压 Vgs-栅源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Pd-功率耗散 最小工作温度 最大工作温度 封装
Infineon Technologies JFET CoolSiC JFET 1200 V J1 in QDPAK
712在途量
最低: 1
倍数: 1
: 750

SiC SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel Single 1.2 kV - 20 V, + 2.2 V 289 A 14.3 mOhms 1.127 kW - 55 C + 175 C Reel, Cut Tape
Infineon Technologies JFET CoolSiC JFET 1200 V J1 in QDPAK
145在途量
最低: 1
倍数: 1
: 750

SiC SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel Single 1.2 kV - 20 V, + 2.2 V 238 A 17.5 mOhms 931 W - 55 C + 175 C Reel, Cut Tape
Infineon Technologies JFET CoolSiC JFET 1200 V J1 in QDPAK
150在途量
最低: 1
倍数: 1
: 750

SiC SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel Single 1.2 kV - 20 V, + 2.2 V 598 A 6.5 mOhms 2.38 kW - 55 C + 175 C Reel, Cut Tape
Infineon Technologies JFET CoolSiC JFET 1200 V J1 in QDPAK
150在途量
最低: 1
倍数: 1
: 750

SiC SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel Single 1.2 kV - 20 V, + 2.2 V 522 A 7.3 mOhms 2.142 kW - 55 C + 175 C Reel, Cut Tape