缓冲绕线薄膜电容器

EPCOS/TDK缓冲绕线薄膜电容器符合AEC-Q200D标准,电容范围为0.1µF至3.3µF,额定电压为800VAC,容差高达10%。这些电容器具有高脉冲强度、高接触可靠性、低电感以及镀锡铜或黄铜带端子。缓冲绕线薄膜电容器采用UL 94V-0等级塑料外壳,采用绕线电容器技术,内部串联连接。EPCOS/TDK缓冲绕线薄膜电容器非常适合用于IGBT和缓冲应用。

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选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 电容 电压额定值 DC 端接类型 电介质 引线间隔 产品 电压额定值 AC 容差 管脚数量 ESR 引线类型 最小工作温度 最大工作温度 系列 资格 封装
TDK 薄膜电容器 1.0uF 1KV 5% 无库存交货期 10 周
最低: 96
倍数: 96

1 uF 1 kVDC Lug Polypropylene (PP) 28 mm (1.102 in) Snubber Film Capacitors 480 VAC 10 % 2 Pin Straight - 55 C + 110 C B32656S AEC-Q200 Bulk
TDK 薄膜电容器 1.2uF 1KV 10% 无库存交货期 10 周
最低: 96
倍数: 96

1.2 uF 1 kVDC Lug Polypropylene (PP) 24.5 mm (0.965 in) Snubber Film Capacitors 10 % Straight B32656S AEC-Q200 Bulk
TDK 薄膜电容器 1.2uF 1KV 10% 无库存交货期 10 周
最低: 104
倍数: 104

1.2 uF 1 kVDC Lug Polypropylene (PP) 57 mm (2.24 in) Snubber Film Capacitors 10 % Straight B32656S AEC-Q200 Bulk
TDK 薄膜电容器 无库存交货期 24 周

0.27 uF 1.25 kVDC Radial Polypropylene (PP) AC and Pulse Film Capacitors 500 VAC 10 % 2 Pin 10 mOhms Straight - 55 C + 110 C B32656S