Model BID绝缘栅双极晶体管

Bourns Model BID绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 结合了MOSFET栅极和双极晶体管技术，设计用于高压/大电流应用。该Model BID IGBT采用先进的沟槽栅极场截止技术，可更好地控制动态特性，从而降低集电极-发射极饱和电压、减少开关损耗。该IGBT的工作温度范围为-55°C至+150°C，采用TO-252、TO-247与TO-247N封装。这些高热效率元器件具有较低热阻，使其成为适合开关模式电源 (SMPS)、不间断电源 (UPS) 和功率因数校正 (PFC) 应用的IGBT解决方案。

结果: 8
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数量 RoHS ECAD模型 技术
封装 / 箱体
安装风格
配置
集电极—发射极最大电压 VCEO
集电极—射极饱和电压
栅极/发射极最大电压
在25 C的连续集电极电流
Pd-功率耗散
最小工作温度
最大工作温度
系列
封装
Bourns 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT Discrete 600V, 5A in TO-252
数据表
24,157库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 2,500

Si TO-252-3 SMD/SMT Single 600 V 1.5 V - 30 V, 30 V 10 A 82 W - 55 C + 150 C BID Reel, Cut Tape, MouseReel
Bourns 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT Discrete 650V, 50A in TO-247
数据表
2,180库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 100 A 416 W - 55 C + 150 C BID Tube
Bourns 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT Discrete 650V, 75A, High speed switching in TO-247-3L
数据表
5,811库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V 20 V 150 A 394 W - 40 C + 175 C BID Tube
Bourns 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT Discrete 600V, 30A in TO-247
数据表
1,840库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.65 V - 20 V, 20 V 60 A 230 W - 55 C + 150 C BID Tube
Bourns 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT Discrete 650V, 40A, Medium speed switching in TO-247-3L
数据表
2,830库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V 20 V 80 A 230 W - 40 C + 175 C BID Tube
Bourns 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT Discrete 650V, 40A, High speed switching in TO-247-3L
数据表
2,967库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V 20 V 80 A 300 W - 40 C + 175 C BID Tube
Bourns 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT Discrete 650V, 75A, Medium speed switching in TO-247-3L
数据表
2,783库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.42 V 20 V 150 A 394 W - 40 C + 175 C BID Tube
Bourns 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT Discrete 600V, 30A in TO-247N
数据表
257库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247N-3 Through Hole Single 600 V 1.65 V - 20 V, 20 V 60 A 230 W - 55 C + 150 C BID Tube