StrongIRFET™ 2 30V 功率MOSFET

英飞凌StrongIRFET™ 2 30V功率MOSFET针对高低开关频率进行了优化,从而实现设计灵活性。此系列器件具备高功率效率,可提高系统整体性能,同时兼具出色的耐用性。其电流额定值有所提高,可实现更高的载流能力,无需并联多个器件,从而降低物料清单成本并节省电路板空间。应用包括开关电源(SMPS)、电机驱动器、电池供电设备、电池管理、不间断电源(UPS)、轻型电动汽车、电动工具、园艺工具、适配器和消费电子等领域。    

结果: 8
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 商标名 封装
Infineon Technologies MOSFET Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency 8,951库存量
剪切带
¥21.922
¥14.0572
¥9.5937
¥8.1247
卷轴
¥6.8026
最低: 1
倍数: 1
: 2,000
Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 30 V 143 A 2.05 mOhms 20 V 2.35 V 33 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency 2,819库存量
剪切带
¥20.1027
¥9.8423
¥8.7688
¥6.9947
卷轴
¥6.215
最低: 1
倍数: 1
: 2,000
Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 30 V 137 A 2.35 mOhms 20 V 2.35 V 24 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency 3,415库存量
剪切带
¥18.4416
¥8.9383
¥7.9891
¥6.3619
卷轴
¥5.537
最低: 1
倍数: 1
: 2,000
Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 30 V 99 A 3.05 mOhms 20 V 2.35 V 16 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency 3,703库存量
剪切带
¥15.4697
¥7.3789
¥6.5879
¥5.198
卷轴
¥4.4635
最低: 1
倍数: 1
: 2,000
Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 30 V 73 A 4.05 mOhms 20 V 2.35 V 13 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET StrongIRFET 2 Power -Transistor, 30 V in DPAK 777库存量
剪切带
¥20.9276
¥10.17
¥8.6897
¥6.8704
卷轴
¥6.0681
最低: 1
倍数: 1
: 800
Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 30 V 119 A 2.35 mOhms 20 V 2.35 V 24 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET StrongIRFET 2 Power -Transistor, 30 V in DPAK 737库存量
剪切带
¥26.9618
¥13.4809
¥12.1588
¥9.3451
卷轴
¥8.9383
最低: 1
倍数: 1
: 800
Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 30 V 125 A 1.8 mOhms 20 V 2.35 V 46 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET StrongIRFET 2 Power -Transistor, 30 V in DPAK 774库存量
剪切带
¥26.7132
¥13.3227
¥11.9893
¥9.1869
卷轴
¥8.7688
最低: 1
倍数: 1
: 800
Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 30 V 122 A 2.05 mOhms 20 V 2.35 V 33 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency 2,128库存量
剪切带
¥14.1476
¥6.7122
¥5.989
¥4.859
卷轴
¥4.0341
最低: 1
倍数: 1
: 2,000
Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 30 V 71 A 4.7 mOhms 20 V 2.35 V 10 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape