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DMT2004UFDF-7

Name: Diodes Incorporated DMT2004UFDF-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMT2004UFDF-7
Price: 7.32 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

621-DMT2004UFDF-7

制造商编号：

DMT2004UFDF-7

制造商：

Diodes Incorporated

说明：

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V

数据表:

DMT2004UFDF-7 数据表 (PDF)

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封装:

整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥8.2716	¥8.27
	¥5.1754	¥51.75
	¥3.3787	¥337.87
	¥2.599	¥1,299.50
	¥2.3391	¥2,339.10
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
	¥2.0227	¥6,068.10
	¥1.8532	¥11,119.20
	¥1.7402	¥15,661.80

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Diodes Incorporated
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	DFN-2020-6
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	24 V
Id-连续漏极电流:	14.1 A
Rds On-漏源导通电阻:	4.8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 12 V, 12 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	550 mV
Qg-栅极电荷:	53.7 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	12.5 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Diodes Incorporated
配置:	Single
下降时间:	38.6 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	9.6 ns
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	30.8 ns
典型接通延迟时间:	3.9 ns
单位重量:	6.750 mg

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数据表

DMT2004UFDF-7 数据表 (PDF)

PCN

Environmental Compliance (PDF)

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

DMTx MOSFET

Diodes Incorporated DMTx MOSFET是N通道增强模式MOSFET，具有低导通电阻和快速开关特性。这些MOSFET还设计用于满足汽车应用的严格要求。Diodes Incorporated DMTx MOSFET非常适合用于高效率电源管理应用。

DMT2004UF N通道增强模式MOSFET

Diodes Incorporated DMT2004UF MOSFET是一款24V、N通道增强模式MOSFET，具有0.6mm高度和4mm²占位面积。DMT2004UF MOSFET符合AEC-Q101高可靠性标准，可最大限度地降低导通电阻，同时保持出色的开关性能。DMT2004UF MOSFET具有4.8mΩ至12.5mΩ导通电阻、0.55V至1.45V栅极阈值电压、11.2A至14.1A连续漏电流以及12.5W功耗。该器件具有如下开关性能：38.6ns关断下降时间、9.6ns导通上升时间、30.8ns（典型值）关断延迟时间、3.9ns（典型值）导通延迟时间以及11.2ns恢复时间。24V DMT2004UF N通道增强模式MOSFET采用的各项设计使得该器件非常适合用于高效电源管理应用。

栅极驱动器

Diodes Incorporated栅极驱动器适用于电力系统和电机驱动领域的诸多应用。这些栅极驱动器可作为微控制器和IGBT或MOSFET电源开关之间的接口。这些栅极驱动器具有出色的驱动特性，并可控制击穿电压。

Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.