结果: 8
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 封装 / 箱体 安装风格 配置 集电极—发射极最大电压 VCEO 集电极—射极饱和电压 栅极/发射极最大电压 在25 C的连续集电极电流 Pd-功率耗散 最小工作温度 最大工作温度 系列 封装

onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) FS4 LOW VCESAT IGBT 650V 75A TO247-4L WITH FULL RATED CURRENT DIODE 330库存量
¥61.0426
¥42.7592
¥37.3917
最低: 1
倍数: 1
Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.15 V 20 V 80 A 469 W - 55 C + 175 C FGHL75T65LQDTL4 Tube

onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) FS4 LOW VCESAT IGBT 650V 446库存量
¥39.7873
¥26.0578
¥19.436
¥14.7239
¥14.2267
最低: 1
倍数: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.15 V 20 V 80 A 341 W - 55 C + 175 C FGHL50T65LQDT Tube

onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200V, 100A Trench Field Stop VII (FS7) Discrete IGBT 484库存量
¥115.3052
¥70.2295
¥70.1391
¥67.9921
最低: 1
倍数: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.43 V - 20 V, 20 V 200 A 1.495 kW - 55 C + 175 C FGY100T120RWD Tube

onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200V, 40A Trench Field Stop VII (FS7) Discrete IGBT 257库存量
¥68.6588
¥40.0359
¥39.9568
¥34.4876
最低: 1
倍数: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 20 V 80 A 600 W - 55 C + 175 C FGHL40T120RWD Tube

onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) FS4 LOW VCESAT IGBT 650V 40A TO247-3L WITH FULL RATED CURRENT DIODE 392库存量
¥44.8271
¥25.312
¥20.8485
¥19.5264
最低: 1
倍数: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.15 V 20 V 60 A 273 W - 55 C + 175 C FGHL40T65LQDT Tube

onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200V, 60A Trench Field Stop VII (FS7) Discrete IGBT 89库存量
450预期 2026/12/29
¥90.9085
¥59.89
¥45.1661
最低: 1
倍数: 1
最大: 450
Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 20 V 120 A 833 W - 55 C + 175 C FGHL60T120RWD Tube

onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) FS4 LOW VCESAT IGBT 650V 75A TO247-3L WITH FULL RATED CURRENT DIODE 280库存量
¥69.5628
¥47.4826
¥35.0752
最低: 1
倍数: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.15 V 20 V 80 A 469 W - 55 C + 175 C FGHL75T65LQDT Tube

onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) FS4 LOW VCESAT IGBT 650V 450库存量
¥41.9343
¥27.5494
¥20.5095
¥15.6279
¥15.0516
最低: 1
倍数: 1
Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.15 V 20 V 80 A 341 W - 55 C + 175 C FGHL50T65LQDTL4 Tube