LFPAK P沟道沟槽式MOSFET

Nexperia LFPAK P沟道沟槽式MOSFET设计符合AEC-Q101标准，适用于高性能汽车应用。这些MOSFET具有较高的热功率耗散能力。P沟道MOSFET采用LFPAK56（Power SO8）表面贴装器件（SMD）塑料封装。这些Nexperia MOSFET的额定温度为175°C，因此非常适合用于要求高温的环境。典型应用包括电池反向保护、电源管理、高侧负载开关和电机驱动。