结果: 6
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数量 RoHS ECAD模型 技术
封装 / 箱体
安装风格
配置
集电极—发射极最大电压 VCEO
集电极—射极饱和电压
栅极/发射极最大电压
在25 C的连续集电极电流
Pd-功率耗散
最小工作温度
最大工作温度
系列
封装
Micro Commercial Components (MCC) 绝缘栅双极晶体管(IGBT)
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1,696库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247AB-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.85 V - 20 V, 20 V 80 A 428 W - 40 C + 175 C MIW40N120FLA Bulk
Micro Commercial Components (MCC) 绝缘栅双极晶体管(IGBT)
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1,783库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247AB-3 Through Hole Single 650 V 1.95 V - 20 V, 20 V 60 A 187 W - 40 C + 175 C MIW30N65FA Bulk
Micro Commercial Components (MCC) 绝缘栅双极晶体管(IGBT)
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1,794库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247AB-3 Through Hole Single 650 V 1.8 V - 20 V, 20 V 60 A 187 W - 40 C + 175 C MIW30N65FLA Bulk


Micro Commercial Components (MCC) 绝缘栅双极晶体管(IGBT)
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1,801库存量
最低： 1
倍数： 1

- 20 V, 20 V MIW40N65RA Bulk
Micro Commercial Components (MCC) 绝缘栅双极晶体管(IGBT)
数据表
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1,290库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247AB-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.85 V - 20 V, 20 V 30 A 200 W - 40 C + 175 C MIW15N120FA Bulk
Micro Commercial Components (MCC) 绝缘栅双极晶体管(IGBT)
数据表
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603库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247AB-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.9 V - 20 V, 20 V 50 A 326 W - 40 C + 175 C MIW25N120FA Bulk