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SIR662DP-T1-GE3

Name: Vishay SIR662DP-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 781-SIR662DP-T1-GE3
Price: 21.45 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

781-SIR662DP-T1-GE3

制造商编号：

SIR662DP-T1-GE3

制造商：

Vishay Semiconductors

说明：

MOSFET 60V 2.7mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET

数据表:

SIR662DP-T1-GE3 数据表

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Vishay
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	PowerPAK-SO-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	60 V
Id-连续漏极电流:	100 A
Rds On-漏源导通电阻:	2.2 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	1 V
Qg-栅极电荷:	96 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	104 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	TrenchFET, PowerPAK
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Vishay Semiconductors
配置:	Single
下降时间:	11 ns
正向跨导 - 最小值:	82 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	11 ns
系列:	SIR
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	33 ns
典型接通延迟时间:	14 ns
零件号别名:	SIR662DP-GE3
单位重量:	506.600 mg

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已选择的属性: 0

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数据表

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Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

合规代码

CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

ThunderFET® Power MOSFETs

Vishay / Siliconix ThunderFET® Power MOSFETs provide low values of on-resistance for 100V MOSFETs with 4.5V ratings. The lower on-resistance translates into lower conduction losses and reduced power consumption for energy-saving green solutions. Vishay / Siliconix ThunderFET Power MOSFETs are optimized for primary-side switching and secondary-side synchronous rectification in isolated DC/DC power supply designs for telecom brick and bus converter applications. The 4.5V rating for on-resistance allows a wide range of PWM and gate driver ICs to be considered.

SiR662DP N-Ch 60V (D-S) MOSFETs

Vishay / Siliconix SiR662DP 60V N-Channel TrenchFET^® Power MOSFET provides excellent on-resistance values. Vishay / Siliconix SiR662DP TrenchFET Power MOSFET also provides a gate charge figure of merit (FOM) for high efficiency.

TrenchFET第四代MOSFET

Vishay / Siliconix TrenchFET^®第四代MOSFET是新一代TrenchFET^®系列功率MOSFET，采用PowerPAK® SO-8和1212-8S封装，并具有业内超低的导通电阻和低栅极总电荷。TrenchFET第四代MOSFET具有超低R_DS(on)特性，因此进一步降低了导通损耗以及功耗。TrenchFET MOSFET还采用了节省空间的PowerPAK® 1212-8 封装，能以三分之一的尺寸实现相近的效率。典型应用包括大功率DC/DC转换器、同步整流器、太阳能微型逆变器以及电机驱动开关。

工业电源解决方案

Vishay提供业界最广泛的半导体和无源元件产品组合，适用于工业电源应用。Vishay工业电源用产品组合包括功率MOSFET、功率IC、整流器、二极管、电容器、电阻器和电感器。

特色产品

VISHAY

SQD50P04-09L 40V汽车级P沟道功率MOSFET

该器件非常适合汽车、电源分配和工业功率控制应用。

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SiJK5100E N 通道 MOSFET

TrenchFET^® 第五代功率MOSFET，具有100V漏源电压和536W最大功耗。

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SiEH4800EW 80 V TrenchFET®第四代N沟道MOSFET

采用PowerPAK^® 8mmx8mm BWL封装，导通电阻为0.00115Ω。

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SiJK140E N 沟道 40 V (D-S) MOSFET

采用TrenchFET^® 第五代功率技术，非常适用于同步整流和自动化。

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采用PowerPAK® 10x12封装的超结MOSFET

具备先进技术，可优化效率并尽可能降低导通过程中的功率损耗。

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库存量: 155

库存：: 155

可立即发货

出现意外错误。请稍候重试。
在途量:: 9,000

预期 2027/10/14

6,000

预期 2028/3/9
生产周期：: 38

周大于所示数量的预计工厂生产时间。

本产品所报告的交付时间长。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1 最多： 3000

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥24.2385	¥24.24
	¥13.4018	¥134.02
	¥10.8367	¥1,083.67
	¥9.1869	¥4,593.45
	¥8.6897	¥8,689.70
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
	¥7.6727	¥23,018.10

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

SIR662DP-T1-GE3

制造商： Vishay Semiconductors

说明： MOSFET 60V 2.7mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET

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