DIWOx Fast Switching IGBT Transistors

Diotec Semiconductor DIWOx Fast-Switching IGBT Transistors include a reverse diode and use Trench and Fieldstop technology. These fast-switching speed transistors feature 1350V collector-emitter voltage, soft switching, parallel operation, and are short-circuit proof. The DIWOx fast-switching IGBT transistors are RoHS-compliant and are available in a TO-247 package. Typical applications include frequency inverters, AC-DC motor drives, commercial/industrial grade, and 80Hz to 100Hz switching frequency devices.

结果: 6
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数量 RoHS ECAD模型 技术
封装 / 箱体
安装风格
配置
集电极—发射极最大电压 VCEO
集电极—射极饱和电压
栅极/发射极最大电压
在25 C的连续集电极电流
Pd-功率耗散
最小工作温度
最大工作温度
系列
封装
Diotec Semiconductor 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT, TO-247-3L, 1200V, 40A, 160A, 0
数据表
470库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.74 V 20 V 80 A 330 W - 40 C + 175 C DIW0 Tube
Diotec Semiconductor 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT, Fast, 1350V, 30A, TO-247
数据表
449库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 2.3 V 30 A 350 W - 40 C + 175 C DIW0 Bulk
Diotec Semiconductor 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT, TO-247-3L, 600V, 30A, 90A, 0
数据表
447库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.75 V 20 V 60 A 150 W - 40 C + 150 C DIW0 Tube
Diotec Semiconductor 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT, TO-247-3L, 650V, 50A, 300A, 0
数据表
444库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V 20 V 100 A 350 W - 55 C + 175 C DIW0 Tube
Diotec Semiconductor 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT, TO-247-3L, 650V, 75A, 300A, 0
数据表
450库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 650 V 20 V 90 A 330 W - 40 C + 175 C DIW0 Tube
Diotec Semiconductor 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT, Fast, 1350V, 40A, TO-247
数据表
27库存量
450预期 2026/8/21
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 2.3 V 30 A 350 W - 40 C + 175 C DIW0 Bulk