NVHL075N065SC1

onsemi
863-NVHL075N065SC1
NVHL075N065SC1

制造商：

说明：
碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V 75MOHM

数据表:
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库存量: 366

库存：
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生产周期：
18 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥121.3394 ¥121.34
¥73.7777 ¥737.78
¥68.1616 ¥8,179.39
¥66.5909 ¥33,961.36

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: 碳化硅MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
650 V
38 A
85 mOhms
- 5 V, + 18 V
4.3 V
61 nC
- 55 C
+ 175 C
74 W
Enhancement
EliteSiC
商标: onsemi
下降时间: 8 ns
正向跨导 - 最小值: 9 S
封装: Tube
产品: Mosfets
产品类型: SiC MOSFETS
上升时间: 26 ns
系列: NVHL075N065SC1
工厂包装数量: 30
子类别: Transistors
技术: SiC
典型关闭延迟时间: 22 ns
典型接通延迟时间: 10 ns
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已选择的属性: 0

数据表

PCN

合规代码
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
中国
扩散国家:
韩国
发货时，国家/地区可能会发生变化。

NVHL075N065SC1碳化硅 (SiC) MOSFET

安森美NVHL075N065SC1碳化硅 (SiC) MOSFET是具有出色特性的高性能器件。安森美 (onsemi) NVHL075N065SC1的典型RDS(on) 在栅-源电压 (VGS) 为18V时是57mΩ，为15V时是75mΩ。该器件具有超低栅极电荷 (QG(tot) =61nC) 和低输出电容 (Coss =107pF)，保证了快速开关和更低的功耗。

M2 EliteSiC MOSFET

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