沟槽型650V至1200V XPT™ GenX4™ IGBT

IXYS沟槽式650V至1200V XPT™ GenX4™ IGBT采用专有的XPT薄晶圆技术和最先进的第四代 (GenX4™) 沟槽式IGBT工艺进行开发。这些绝缘栅极双极晶体管具有低热阻、低能耗、快速开关、低拖尾电流和高电流密度等特性。该器件在开关和短路条件下具有出色的耐用性。

结果: 50
选择 图像 零件编号
 制造商
描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 技术
封装 / 箱体
安装风格
配置
集电极—发射极最大电压 VCEO
集电极—射极饱和电压
栅极/发射极最大电压
在25 C的连续集电极电流
Pd-功率耗散
最小工作温度
最大工作温度
系列
封装
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Disc IGBT XPT Gen4 1200V 140A TO264
数据表
2,808库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-264-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.7 V - 20 V, 20 V 480 A 1.5 kW - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO247 1200V 85A XPT
数据表
1,352库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.8 V - 20 V, 20 V 300 A 1.15 kW - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO264 1200V 110A GENX4
数据表
84库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-264-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.8 V - 20 V, 20 V 375 A 1.36 kW - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V, 55A, XPT Gen5 B5 IGBT in TO-263
数据表
77库存量
300预期 2027/1/18
最低： 1
倍数： 1

Si TO-263-2L SMD/SMT Single 650 V 1.3 V 20 V 122 A 395 W - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V, 100A, XPT Gen5 C5 IGBT in TO-247AD
数据表
60库存量
300预期 2027/1/18
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.68 V 20 V 230 A 750 W - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO268 1200V 85A XPT
数据表
475库存量
最低： 1
倍数： 1

Si D3PAK-3 (TO-268-3) SMD/SMT Single 1.2 kV 1.8 V - 20 V, 20 V 300 A 1.15 kW - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V/160A TRENCH IGBT GENX4 XPT
数据表
917库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 650 V 2.1 V - 20 V, 20 V 160 A 625 W - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO263 1200V 20A XPT
数据表
374库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-263HV-3 SMD/SMT Single 1.2 kV 2.5 V - 20 V, 20 V 68 A 375 W - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) PLUS247 1200V 110A GENX4
数据表
198库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.8 V - 20 V, 20 V 375 A 1.36 kW - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Discrete IGBT XPT Gen 4 1200V TO268HV
数据表
133库存量
最低： 1
倍数： 1

Si D3PAK-3 (TO-268-3) SMD/SMT Single 1.2 kV 1.8 V - 20 V, 20 V 175 A 650 W - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V, 50A, XPT Gen5 C5 IGBT in TO-263
数据表
28库存量
300预期 2027/1/18
最低： 1
倍数： 1

Si TO-263AB-2 SMD/SMT Single 650 V 1.67 V 20 V 110 A 650 W - 55 C + 175 C Trench Tube

IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) PLUS247 650V 140A SN DIO
数据表
297库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V - 20 V, 20 V 340 A 1.2 kW - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V/116A TRENCH IGBT GENX4 XPT
数据表
279库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 650 V 2.2 V - 20 V, 20 V 145 A 536 W - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V/120A TRENCH IGBT GENX4 XPT
数据表
260库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 650 V 1.5 V - 20 V, 20 V 120 A 455 W - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V/370A TRENCH IGBT GENX4 XPT
数据表
430库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-264-3 Through Hole Single 650 V 1.7 V - 20 V, 20 V 480 A 1.63 kW - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) SOT227 1200V 140A XPT
数据表
78库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SOT-227-4 Screw Mount Single 1.2 kV 1.7 V - 20 V, 20 V 380 A 1.07 kW - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V/65A Trench IGBT GenX4 XPT
数据表
203库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 650 V 2 V - 20 V, 20 V 70 A 230 W - 55 C + 175 C Trench Tube

IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V/310A TRENCH IGBT GENX4 XPT
数据表
214库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.8 V - 20 V, 20 V 310 A 940 W - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V, 220A, XPT Gen5 A5 IGBT in SOT-227
数据表
586库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SOT-227B-4 Screw Mount Single 650 V 1.15 V 20 V 510 A 1.2 kW - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V, 180A, XPT Gen5 A5 IGBT in TO-264
数据表
355库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-264-3 Through Hole Single 650 V 1.2 V 20 V 400 A 1.15 kW - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V, 220A, XPT Gen5 A5 IGBT in TO-264
数据表
400库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-264-3 Through Hole Single 650 V 1.15 V 20 V 510 A 1.61 kW - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V, 180A, XPT Gen5 A5 IGBT in SOT-227
数据表
395库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SOT-227B-4 Screw Mount Single 650 V 1.2 V 20 V 340 A 940 W - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V, 200A, XPT Gen5 B5 IGBT in SOT-227
数据表
396库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SOT-227B-4 Screw Mount Single 650 V 1.2 V 20 V 390 A 1.2 kW - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V, 200A, XPT Gen5 B5 IGBT in PLUS247
数据表
675库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-PLUS-3 Through Hole Single 650 V 1.2 V 20 V 470 A 1.61 kW - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V, 48A, XPT Gen5 A5 IGBT in TO-263
数据表
300库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-263-2L SMD/SMT Single 650 V 1.27 V 20 V 130 A 326 W - 55 C + 175 C Trench Tube