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QPC1022TR7

Name: Qorvo QPC1022TR7
Brand: Qorvo
SKU: 772-QPC1022TR7
Price: 21.96 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

772-QPC1022TR7

制造商编号：

QPC1022TR7

制造商：

Qorvo

说明：

RF 开关 IC 5-6000MHz SPDT IL .25dB Iso 39dB

数据表:

QPC1022TR7 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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库存量: 3,463

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在途量:: 2,500

预期 2026/7/27
生产周期：: 16

周大于所示数量的预计工厂生产时间。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1 最多： 750

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按2500的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥24.8148	¥24.81
	¥24.5662	¥245.66
	¥19.6055	¥490.14
	¥16.1251	¥1,612.51
	¥13.4809	¥3,370.23
	¥11.4921	¥5,746.05
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）
	¥11.4921	¥28,730.25

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Qorvo
产品种类:	RF 开关 IC
RoHS:
开关配置:	SPDT
最小频率:	5 MHz
最大频率:	6 GHz
介入损耗:	0.46 dB
关闭隔离—典型值:	29 dB
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 105 C
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	LGA-9
技术:	Si
系列:	QPC1022
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Qorvo
湿度敏感性:	Yes
产品类型:	RF Switch ICs
工厂包装数量:	2500
子类别:	Wireless & RF Integrated Circuits
零件号别名:	QPC1022
单位重量:	649 mg

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已选择的属性: 0

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数据表

QPC1022TR7 数据表 (PDF)

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合规代码

CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
JPHTS:: 854239099
TARIC:: 8542399000
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 葡萄牙
组装原产国/地区:: 葡萄牙
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

GaN Solutions

Qorvo is your smart RF partner for building solutions using Gallium Nitride (GaN) technology. No longer a technology just for defense and aerospace applications, GaN is enabling higher and higher frequencies in more complex applications, such as phased arrays, radar, base transceiver stations for 5G, cable TV (CATV), VSAT, and defense communications. Qorvo provides proven, record-setting GaN circuit reliability and compact, high-efficiency products. This paves the way for more robust performance, lower operating costs and longer operational lifetimes.

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Qorvo QPC1022单刀双掷 (SPDT) 开关设计用于需要极低插入损耗、较高功率处理能力和最低直流功耗的开关应用。QPC1022具有出色的线性性能，非常适合用于LTE基础设施、中继器和数据卡，工作频率范围为5MHz至6000MHz。

无人机解决方案

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GaN Switches

Qorvo Gallium Nitride (GaN) Switches are suited for RF Switching applications and feature high breakdown voltages combined with the low on-resistance and off-state capacitance. This enables a dramatic increases in power handling. GaAs FET switches are widely used in the RF industry, and typically used for power levels on the order of a few watts or less. GaN FETs are able to use the same circuit architectures to handle power levels on the order of tens of watts.