DGD0579UFN-7

Diodes Incorporated
621-DGD0579UFN-7
DGD0579UFN-7

制造商:

说明:
栅极驱动器 HV Gate Driver W-DFN3030-10 T&R 3K

ECAD模型:
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库存量: 2,911

库存:
2,911
可立即发货
在途量:
3,000
预期 2026/2/20
生产周期:
40
大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴(请按3000的倍数订购)

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™
¥8.1925 ¥8.19
¥5.8986 ¥58.99
¥5.3223 ¥133.06
¥4.6895 ¥468.95
¥4.3957 ¥1,098.93
¥4.2149 ¥2,107.45
¥3.9889 ¥3,988.90
整卷卷轴(请按3000的倍数订购)
¥3.9324 ¥11,797.20
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。

产品属性 属性值 选择属性
Diodes Incorporated
产品种类: 栅极驱动器
RoHS:  
Half-Bridge Drivers
SMD/SMT
WDFN-10
1 Driver
1 Output
2.5 A
6.5 V
18 V
19 ns
15 ns
- 40 C
+ 125 C
DGD0579U
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: Diodes Incorporated
逻辑类型: CMOS, TTL
湿度敏感性: Yes
工作电源电流: 8 mA
Pd-功率耗散: 400 mW
产品类型: Gate Drivers
关闭: Shutdown
工厂包装数量: 3000
子类别: PMIC - Power Management ICs
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已选择的属性: 0

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CNHTS:
8542399000
USHTS:
8542390090
ECCN:
EAR99

DGD0579U高侧和低侧栅极驱动器

Diodes Inc. DGD0579U高侧和低侧栅极驱动器是一款高频栅极驱动器,具有内部自举二极管,能够驱动采用半桥配置的N沟道MOSFET。该浮动高侧驱动器采用自举配置,额定电压高达100V。DGD0579U逻辑输入与标准TTL和CMOS电平(低至3.3V)兼容,可与MCU轻松连接。用于高侧和低侧的UVLO将在缺电的情况下保护MOSFET。交叉传导预防逻辑还可以防止HO和LO同时导通,从而保护MOSFET。快速且匹配良好的传播延迟支持更高开关频率,通过采用较小的相关元件,实现了更小、更紧凑的电源开关设计。该器件设有内部自举二极管,可最大限度地节约空间,另外Diodes Inc. DGD0579U采用W-DFN3030-10封装,可在-40°C至+125°C扩展温度范围内工作。