SH8J P沟道功率MOSFET

ROHM Semiconductor SH8J P沟道功率MOSFET具有低导通电阻,采用小型表面贴装封装 (SOP8)。ROHM提供从小信号产品到800V高压产品的宽电压系列。它们可用于各种应用,如电源和电机驱动电路。

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选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 封装
ROHM Semiconductor MOSFET -60V Dual Pch+Pch, SOP8, Power MOSFET 9,144库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 2,500

Si SMD/SMT SOP-8 P-Channel 2 Channel 60 V 7.5 A 32 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 50 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET -40V Dual Pch+Pch, SOP8, Power MOSFET 1,896库存量
2,500预期 2026/6/5
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 2,500

Si SMD/SMT SOP-8 P-Channel 2 Channel 40 V 8.5 A 15.3 mOhms - 10 V, 10 V 2.5 V 51 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape