NL5S4599/NL5ST4599高速单刀双掷模拟开关
安森美 (onsemi) NL5S4599/NL5ST4599高速单刀双掷 (SPDT) 模拟开关采用硅栅CMOS技术制造。这些开关在保持低功率耗散的同时,实现了高速传播延迟和低导通电阻。这些开关控制数字和模拟电压。电压可能在整个电源电压范围内(从VCC到GND)变化。与典型的CMOS模拟开关相比,这些器件在输入电压范围内具有更低、更线性的导通电阻(RON)。
安森美 (onsemi) NL5S4599/NL5ST4599高速单刀双掷 (SPDT) 模拟开关采用硅栅CMOS技术制造。这些开关在保持低功率耗散的同时,实现了高速传播延迟和低导通电阻。这些开关控制数字和模拟电压。电压可能在整个电源电压范围内(从VCC到GND)变化。与典型的CMOS模拟开关相比,这些器件在输入电压范围内具有更低、更线性的导通电阻(RON)。