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TD350E

Name: STMicroelectronics TD350E
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-TD350E
Price: 35.06 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

511-TD350E

制造商编号：

TD350E

制造商：

STMicroelectronics

说明：

栅极驱动器 Advanced IGBT/MOSFET driver

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数据表:

TD350E 数据表 (PDF)

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库存量: 2,439

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单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥39.6178	¥39.62
	¥30.1936	¥301.94
	¥23.9899	¥599.75
	¥23.0746	¥2,307.46
	¥22.3288	¥5,582.20
	¥21.6734	¥10,836.70
	¥20.9276	¥20,927.60
	¥20.8485	¥41,697.00

备用包装

制造商零件编号:

TD350ETR

包装:

Reel, Cut Tape, MouseReel

供货情况:

库存量

单价:

¥17.3681

最小:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	栅极驱动器
RoHS:
产品:	MOSFET Gate Drivers
类型:	High-Side
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	SOIC-14
激励器数量:	1 Driver
输出端数量:	1 Output
输出电流:	2.3 A
电源电压-最小:	0 V
电源电压-最大:	16 V
配置:	Inverting
上升时间:	130 ns
下降时间:	75 ns
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 125 C
系列:	TD350E
封装:	Tube
商标:	STMicroelectronics
湿度敏感性:	Yes
工作电源电流:	5 mA
Pd-功率耗散:	500 mW (1/2 W)
产品类型:	Gate Drivers
工厂包装数量:	1000
子类别:	PMIC - Power Management ICs
技术:	Si
单位重量:	338 mg

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已选择的属性: 0

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数据表

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PCN

CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542310075
KRHTS:: 8542311000
TARIC:: 8542399000
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

MOSFET和IGBT栅极驱动器

STMicroelectronics MOSFET和IGBT栅极驱动器是一系列用于工业、消费电子、计算机和汽车应用的分立器件。从单桥到半桥以及多通道驱动器，该产品系列的种类十分丰富。这些驱动器适用于低压或高压（高达1500V）应用。ST还提供电隔离栅极驱动器IC，以满足各种安全和功能要求。系统级封装 (SiP) 解决方案集成了高侧和低侧栅极驱动器以及基于MOSFET的功率级。因此，它们非常适合用于需要更高集成度和更低开发成本的工业市场。

TD350E Advanced IGBT/MOSFET Driver

STMicroelectronics TD350E Advanced IGBT/MOSFET Driver is an advanced gate driver for IGBTs and power MOSFETs. Control and protection functions are included and allow the design of high reliability systems. The innovative active Miller clamp function eliminates the need for negative gate drive in most applications and allows the use of a simple bootstrap supply for the high side driver. The device includes a two-level turn-off feature with adjustable level and delay. This function protects against excessive overvoltage at turn-off in case of overcurrent or short-circuit conditions. The same delay set in the two-level turn-off feature is applied at turn-on to prevent pulse width distortion.