NCD57001FDWR2G

Name: onsemi NCD57001FDWR2G
Brand: onsemi
SKU: 863-NCD57001FDWR2G
Price: 41.14 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

863-NCD57001FDWR2G

制造商编号：

NCD57001FDWR2G

制造商：

onsemi

说明：

电流隔离式栅极驱动器 ISOLATED HIGH CURRENT IGBT GATE DRIVER WITH FAST STO

数据表:

NCD57001FDWR2G 数据表

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	¥46.4882	¥46.49
	¥31.3462	¥313.46
	¥28.9506	¥723.77
	¥23.4136	¥2,341.36
	¥22.4983	¥5,624.58
	¥20.9276	¥10,463.80
整卷卷轴（请按1000的倍数订购）
	¥19.6055	¥19,605.50
	¥18.8597	¥37,719.40

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	电流隔离式栅极驱动器
RoHS:
系列:	NCD57001FDWR2G
安装风格:	SMD/SMT
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 125 C
上升时间:	10 ns
下降时间:	15 ns
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	onsemi
配置:	Inverting, Non-Inverting
激励器数量:	1 Driver
输出端数量:	1 Output
输出电流:	6 A
产品:	IGBT, MOSFET Gate Drivers
产品类型:	Galvanically Isolated Gate Drivers
工厂包装数量:	1000
子类别:	PMIC - Power Management ICs
电源电压-最大:	5 V
电源电压-最小:	3.3 V

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数据表

NCD57001FDWR2G 数据表

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8542399000
USHTS:: 8542390090
ECCN:: EAR99

栅极驱动器与EliteSiC的配对MOSFET

电动汽车充电、能量储存、不间断电力系统 (UPS) 和太阳能等能源基础设施应用正在将系统功率水平提升到数百千瓦甚至兆瓦。这些大功率应用采用半桥、全桥和三相拓扑，逆变器和BLDC的工作循环多达六个开关。根据功率等级和开关速度，系统设计人员需要采用各种开关技术，包括硅、IGBT和SiC，以满足最佳应用要求。

NCD57001FDWR2G隔离式IGBT栅极驱动器

安森美半导体NCD57001FDWR2G隔离式大电流IGBT栅极驱动器是单通道IGBT驱动器，具有内部电流隔离功能，设计用于提高系统效率和可靠性。该栅极驱动器具有互补输入、开漏故障和就绪输出、有源米勒钳位、精确欠压闭锁 (UVLO)、去饱和 (DESAT) 保护以及去饱和 (DESAT) 时软关断等特性。安森美半导体NCD57001FDWR2G栅极驱动器可在输入侧提供5V和3.3V信号，在驱动器侧提供较宽的偏置电压范围，包括负电压能力。该栅极驱动器具有5kV_rms（符合UL1577标准）电流隔离和1200V_iorm（工作电压）功能。典型应用包括太阳能逆变器、电机控制、不间断电源 (UPS)、工业电源和焊接。

热泵

热泵是全球向安全和可持续加热转变的基石，利用低辐射电力提供可靠的暖化。虽然其主要功能是加热，但创新的反向循环型号也具有冷却功能。此外，通过有效回收废热并将其温度提高到实际水平，热泵在节能方面具有巨大潜力。随着企业转向低碳未来，对更高效的功率半导体的需求不断增加。在这一努力中，平衡成本、占位面积和效率至关重要。安森美 (onsemi) 智能功率模块 (IPM) 是热泵市场中值得注意的解决方案，设计紧凑，功率密度高，具有先进的控制特性。