4N38xM 6 引脚 DIP 高压光电晶体管光电耦合器

仙童 4N38xM 6 引脚 DIP 高压光电晶体管光电耦合器是光电晶体管型光电耦合光隔离器。4N38xM 系列将砷化镓红外线发光二极管与 NPN 高压硅光电晶体管结合在一起。该器件符合 UL1577 安全规范，符合长达 1 分钟的 4,170VACRMS 监管要求，并达到 DIN-EN/IEC60747-5-5 要求的 850V 峰值工作隔离电压。4N38xM 6 引脚 DIP 高压光电晶体管光电耦合器采用标准的六引脚塑料双列直插封装。4N38xM 系列适用于电源调节器、数字逻辑输入、微处理器输入、家电传感器系统和工业控制应用。
了解更多

结果: 5
选择 图像 零件编号
 制造商
描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 安装风格
封装 / 箱体
通道数量
绝缘电压
输出类型
电流传输比（最小值）
If - 正向电流
Vf - 正向电压
最大集电极/发射极电压
最大集电极电流
最大集电极/发射极饱和电压
Vr - 反向电压
Pd-功率耗散
最小工作温度
最大工作温度
系列
封装
onsemi 4N38TVM
onsemi 晶体管输出光电耦合器 6PW HVCEO TR WL DIP VDE
数据表
175库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole DIP-6 1 Channel 4170 Vrms NPN Phototransistor 20 % 80 mA 1.5 V 80 V 100 mA 1 V 6 V 420 mW - 40 C + 100 C 4N38M Bulk
onsemi 晶体管输出光电耦合器 Optocoupler Phototransistor
数据表
3,142库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole PDIP-6 1 Channel 4170 Vrms NPN Phototransistor 20 % 80 mA 1.5 V 80 V 100 mA 1 V 6 V 420 mW - 40 C + 100 C 4N38M Bulk
onsemi 晶体管输出光电耦合器 6PW HVCEO TR SMD
数据表
2,299库存量
1,000预期 2026/10/6
最低： 1
倍数： 1
最大： 330

SMD/SMT SMD-6 1 Channel 4170 Vrms NPN Phototransistor 20 % 80 mA 1.5 V 80 V 100 mA 1 V 6 V 420 mW - 40 C + 100 C 4N38M Bulk
onsemi 晶体管输出光电耦合器 6PW HVCEO TR DIP VDE
数据表
1,869库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole DIP-6 1 Channel 4170 Vrms NPN Phototransistor 20 % 80 mA 1.5 V 80 V 100 mA 1 V 6 V 420 mW - 40 C + 100 C 4N38M Bulk
onsemi 晶体管输出光电耦合器 Phototransistor
数据表
6,921预期 2026/9/1
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

SMD/SMT SMD-DIP-6 1 Channel 4170 Vrms NPN Phototransistor 20 % 80 mA 1.5 V 80 V 100 mA 1 V 6 V 420 mW - 40 C + 100 C 4N38M Reel, Cut Tape, MouseReel