IXSH150N120L3KHV

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Mouser编号：

747-IXSH150N120L3KHV

制造商编号：

IXSH150N120L3KHV

制造商：

IXYS

说明：

碳化硅MOSFET 1200V 13mOhm in TO247

寿命周期:

新产品:

此制造商的新产品。

数据表:

IXSH150N120L3KHV 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	IXYS
产品种类:	碳化硅MOSFET
发货限制：	Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS:
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-247-4L
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	1.2 kV
Id-连续漏极电流:	102 A
Rds On-漏源导通电阻:	27.3 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 5 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4 V
Qg-栅极电荷:	130 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	405 W
通道模式:	Enhancement
商标:	IXYS
配置:	Single
下降时间:	8.4 ns
封装:	Tube
产品:	MOSFETS
产品类型:	SiC MOSFETS
上升时间:	24.5 ns
工厂包装数量:	450
子类别:	Transistors
晶体管极性:	N-Channel
晶体管类型:	1 N-Channel
类型:	SiC MOSFET
典型关闭延迟时间:	20.5 ns
典型接通延迟时间:	6.1 ns

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数据表

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合规代码

USHTS:: 8541290099

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

IXSH150N120L3KHV SiC MOSFET

IXYS IXSH150N120L3KHV SiC MOSFET是一款第三代1200V SiC MOSFET，专为高效电源转换和快速开关应用而设计。该MOSFET提供147A的漏极连续电流和仅13.5mΩ（典型值）的R_DS(on)，能使导通损耗减少、系统效率提高。IXSH150N120L3KHV MOSFET具有高电压阻断能力、低电容及超快本征二极管，可提供卓越的开关性能。开尔文源连接有助于最大限度地减少开关损耗并改善栅极驱动控制。IXSH150N120L3KHV SiC MOSFET非常适合EV充电基础设施、电机驱动器、DC/DC转换器、太阳能逆变器及开关电源等要求苛刻的应用。