结果: 3
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
封装

Micro Commercial Components (MCC) MOSFET N-CHANNEL MOSFET,TO-247
数据表
产品评论
347库存量
最低： 1
倍数： 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 41 A 75 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 81 nC - 55 C + 150 C 312.5 W Enhancement Bulk

Micro Commercial Components (MCC) MOSFET N-CHANNEL MOSFET,TO-247
数据表
产品评论
303库存量
最低： 1
倍数： 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30.5 A 99 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 56.5 nC - 55 C + 150 C 236 W Enhancement Bulk

Micro Commercial Components (MCC) MOSFET N-CHANNEL MOSFET,TO-247
数据表
产品评论
355库存量
最低： 1
倍数： 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30.6 A 105 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 57 nC - 55 C + 155 C 240 W Enhancement Bulk