DFN0606沟槽式MOSFET

Nexperia DFN0606沟槽式MOSFET设计用于利用沟槽式MOSFET技术提供低阈值电压和非常快的开关速度。这些Nexperia MOSFET具有静电放电(ESD)保护功能,采用A 无引线超小型DFN0606-3(SOT8001)表面贴装(SMD)塑料封装。典型应用包括手机、可穿戴和便携式设备、手机配件、耳机、耳机和助听器。

结果: 7
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 封装
Nexperia MOSFET NX7002BKH/SOT8001/DFN0606-3
97,027在途量
最低: 1
倍数: 1
: 10,000

Si SMD/SMT DFN-1006-3 N-Channel 1 Channel 60 V 350 mA 2.8 Ohms - 20 V, 20 V 1.1 V 1 nC - 55 C + 150 C 710 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET NX138BKH/SOT8001/DFN0606-3
9,624预期 2026/12/28
最低: 1
倍数: 1
: 10,000

Si SMD/SMT DFN-0606-3 N-Channel 1 Channel 60 V 380 mA 2.3 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V 500 pC - 55 C + 150 C 2.8 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET NX5008NBKH/SOT8001/DFN0606-3
20,000预期 2026/11/20
最低: 1
倍数: 1
: 10,000

Si SMD/SMT DFN-0606-3 N-Channel 1 Channel 50 V 350 mA 2.8 Ohms - 8 V, 8 V 900 mV 470 pC - 55 C + 150 C 2.8 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET PMH1200UPE/SOT8001/DFN0606-3
9,664预期 2026/12/28
最低: 1
倍数: 1
: 10,000

Si SMD/SMT DFN-0606-3 P-Channel 1 Channel 30 V 520 mA 1.6 Ohms - 10 V, 10 V 950 mV 400 pC - 55 C + 150 C 710 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET PMH550UNE/SOT8001/DFN0606-3
10,000预期 2026/11/13
最低: 1
倍数: 1
: 10,000

Si SMD/SMT DFN-0606-3 N-Channel 1 Channel 30 V 770 mA 670 mOhms - 8 V, 8 V 450 mV 400 pC - 55 C + 150 C 710 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET PMH600UNE/SOT8001/DFN0606-3
14,970在途量
最低: 1
倍数: 1
: 10,000

Si SMD/SMT DFN-0606-3 N-Channel 1 Channel 20 V 800 mA 620 mOhms - 8 V, 8 V 450 mV 310 pC - 55 C + 150 C 625 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET PMH950UPE/SOT8001/DFN0606-3
20,000在途量
最低: 1
倍数: 1
: 10,000

Si SMD/SMT DFN-0606-3 P-Channel 1 Channel 20 V 530 mA 1.4 Ohms - 8 V, 8 V 950 mV 290 pC - 55 C + 150 C 625 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel