FAD8253MX-1

onsemi
863-FAD8253MX-1
FAD8253MX-1

制造商：

说明：
栅极驱动器 1200V 2.5A HALF-BRIDGE GATE DRIVER IC

数据表:
ECAD模型:
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库存量: 2,141

库存：
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生产周期：
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最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥21.5039 ¥21.50
¥16.046 ¥160.46
¥14.7239 ¥368.10
¥13.1532 ¥1,315.32
¥12.4865 ¥3,121.63
¥11.9893 ¥5,994.65
¥11.6616 ¥11,661.60
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）
¥11.0062 ¥27,515.50
¥10.8367 ¥54,183.50

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: 栅极驱动器
RoHS:  
Half-Bridge Drivers
Half-Bridge
SMD/SMT
SOIC-14
4 Driver
2 Output
2.5 A
4.5 V
18 V
13 ns
15 ns
- 40 C
+ 125 C
FAD8253MX-1
Reel
Cut Tape
商标: onsemi
输入电压 - 最大值: 18 V
输入电压 - 最小值: 4.5 V
最大关闭延迟时间: 145 ns
最大开启延迟时间: 145 ns
空闲时间—最大值: 145 ns
工作电源电流: 660 uA
输出电压: 50 mV
Pd-功率耗散: 800 mW
产品类型: Gate Drivers
传播延迟—最大值: 145 ns
工厂包装数量: 2500
子类别: PMIC - Power Management ICs
技术: Si
找到的产品:
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已选择的属性: 0

数据表

PCN

USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

FAD8253MX-1半桥栅极驱动器集成电路

onsemi FAD8253MX-1半桥栅极驱动器IC是一款单片式器件，专为高压、高速驱动、工作电压高达+1200V的IGBT而设计。onsemi的高压工艺和共模噪声消除技术可使高驱动器在高dV/dt噪声环境下稳定运行。在VBS = 15V时，先进的电平转换电路可使高压侧栅极驱动器的瞬态工作电压低至VS = -15V。欠压锁定（UVLO）电路是根据FAD8253 IC为IGBT量身定制的，以防止在VDD 和VBS 低于指定阈值电压时发生故障。输出驱动器源电流2.5A、灌电流3.4A（典型值），适用于电机驱动系统中的半桥和全桥应用。

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