DDR4 Memory ICs

SMARTsemi DDR4 Memory ICs feature a power supply (JEDEC standard 1.2V) of VDD = 1.2V ± 5%, and VPP = 2.375V to 2.75V. The ICs have up to 8 banks (4 banks x 2 bank groups) for x 16 products. The DDR4 feature a Pseudo Open Drain (POD) interface with a Burst Length (BL) of 8 and 4 with Burst Chop (BC).

结果: 7
选择 图像 零件编号
 制造商
描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 类型
存储容量
数据总线宽度
最大时钟频率
封装 / 箱体
组织
电源电压-最小
电源电压-最大
最小工作温度
最大工作温度
系列
封装
SMARTsemi 动态随机存取存储器 DDR4, 8Gb, 1Gbx8, 1600Mhz, 3200Mbps, 1.2V, 78-ball FBGA, Industrial temp
数据表
241库存量
最低： 1
倍数： 1

SDRAM - DDR4 8 Gbit 8 bit 1.6 GHz FBGA-78 1 G x 8 1.14 V 1.26 V - 40 C + 85 C
SMARTsemi 动态随机存取存储器 DDR4, 8Gb, 1Gbx8, 1600Mhz, 3200Mbps, 1.2V, 78-ball FBGA, Commercial temp
数据表
193库存量
最低： 1
倍数： 1

SDRAM - DDR4 8 Gbit 8 bit 1.6 GHz FBGA-78 1 G x 8 1.14 V 1.26 V 0 C + 85 C
SMARTsemi 动态随机存取存储器 动态随机存取存储器 DDR4 4GB 256MX16 2666Mbps 1.2V 96-FBGA Commercial
数据表
86库存量
最低： 1
倍数： 1

SDRAM - DDR4 4 Gbit 16 bit 1.333 GHz FBGA-96 256 M x 16 1.14 V 1.26 V 0 C + 85 C KTDM Tray
SMARTsemi 动态随机存取存储器 动态随机存取存储器 DDR4 4GB 512MX8 2666Mbps 1.2V 78-FBGA Industrial
数据表
162库存量
最低： 1
倍数： 1

SDRAM - DDR4 4 Gbit 8 bit 1.333 GHz FBGA-78 512 M x 8 1.14 V 1.26 V - 40 C + 85 C KTDM Tray
SMARTsemi 动态随机存取存储器 动态随机存取存储器 DDR4 4GB 512MX8 2666Mbps 1.2V 78-FBGA Commercial
数据表
198库存量
最低： 1
倍数： 1

SDRAM - DDR4 4 Gbit 8 bit 1.333 GHz FBGA-78 512 M x 8 1.14 V 1.26 V 0 C + 85 C KTDM Tray
SMARTsemi 动态随机存取存储器 DDR4, 8Gb, 512Mbx16, 1600Mhz, 3200Mbps, 1.2V, 96-ball FBGA, Commercial temp
数据表
N/A
最低： 1
倍数： 1

SDRAM - DDR4 8 Gbit 16 bit 1.6 GHz FBGA-96 512 M x 16 1.14 V 1.26 V 0 C + 85 C
SMARTsemi 动态随机存取存储器 动态随机存取存储器 DDR4 4GB 256MX16 2666Mbps 1.2V 96-FBGA Industrial
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

SDRAM - DDR4 4 Gbit 16 bit 1.333 GHz FBGA-96 256 M x 16 1.14 V 1.26 V - 40 C + 85 C KTDM Tray