SIA427DJ-T1-GE3

Name: Vishay SIA427DJ-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 781-SIA427DJ-T1-GE3
Price: 7.91 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

781-SIA427DJ-T1-GE3

制造商编号：

SIA427DJ-T1-GE3

制造商：

Vishay Semiconductors

说明：

MOSFET 8V 12A 19W 13mohms @ 4.5V

数据表:

SIA427DJ-T1-GE3 数据表 (PDF)

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¥-.--

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封装:

整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥8.9383	¥8.94
	¥6.3845	¥63.85
	¥3.9663	¥396.63
	¥2.7346	¥1,367.30
	¥2.4295	¥2,429.50
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
	¥2.0679	¥6,203.70
	¥1.7741	¥10,644.60
	¥1.6498	¥14,848.20
	¥1.4803	¥35,527.20

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Vishay
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	SC-70-6
晶体管极性:	P-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	8 V
Id-连续漏极电流:	12 A
Rds On-漏源导通电阻:	95 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 5 V, 5 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	800 mV
Qg-栅极电荷:	50 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	19 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	TrenchFET
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Vishay Semiconductors
配置:	Single
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	CN
产品类型:	MOSFETs
系列:	SIA
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
零件号别名:	SIA427DJ-GE3
单位重量:	11.688 g

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数据表

SIA427DJ-T1-GE3 数据表 (PDF)

PCN

REACH Certificate (PDF)

CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

SiA427DJ 8V TrenchFET®功率MOSFET

Vishay Siliconix SiA427DJ 8V TrenchFET®功率MOSFET在热增强型PowerPAK® SC-70 2mmx2mm占用面积中针对P通道器件导通电阻最低。Vishay Siliconix SiA427DJ的导通电阻，比与其性能最接近的P通道器件最多低47%。SiA427DJ TrenchFET功率MOSFET的1.2V低额定导通电阻使其成为用于低总线电压的理想产品。由于电源线路的波动，采用1.2V电源总线的应用也会从MOSFET在1.5V和1.8V时的低导通电阻中受益，使得SiA427DJ能够提供最佳的总体节能效果。Vishay Siliconix SiA427DJ的超小型PowerPAK SC-70封装经优化用于小型手持式电子设备。是用于手机、智能手机、MP3播放器、数码相机等负荷开关的理想产品。