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NTH4L020N090SC1

Name: onsemi NTH4L020N090SC1
Brand: onsemi
SKU: 863-NTH4L020N090SC1
Price: 199.84 RMB
Availability: InStock

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请参阅产品规格

Mouser编号：

863-NTH4L020N090SC1

制造商编号：

NTH4L020N090SC1

制造商：

onsemi

说明：

碳化硅MOSFET SIC MOSFET 900V TO247-4L 20MOHM

数据表:

NTH4L020N090SC1 数据表

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	碳化硅MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-247-4
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	900 V
Id-连续漏极电流:	118 A
Rds On-漏源导通电阻:	28 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 8 V, + 22 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4.3 V
Qg-栅极电荷:	196 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	484 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	EliteSiC
商标:	onsemi
配置:	Single
下降时间:	14 ns
正向跨导 - 最小值:	49 S
封装:	Tube
产品类型:	SiC MOSFETS
上升时间:	28 ns
系列:	NTH4L020N090SC1
工厂包装数量:	30
子类别:	Transistors
晶体管极性:	N-Channel
典型关闭延迟时间:	29 ns
典型接通延迟时间:	54 ns

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数据表

NTH4L020N090SC1 数据表

PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 中国
扩散国家:: 韩国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

M2 EliteSiC MOSFET

安森美M2 EliteSiC MOSFET提供650VMHz、750VMHz和1200V电压选项。安森美M2 MOSFET有多种封装可供选择，包括D2PAK7、H-PSOF8L、TDFN4 8x8、TO-247-3LD和TO-247-4LD。MOSFET在设计和实施方面提供了灵活性。此外，M2 EliteSiC MOSFET具有+22V/-8V的最大栅极-源极电压、低R_DS(on) 和长短路耐受时间（SCWT）。

NTH4L020N090SC1碳化硅 (SiC) MOSFET

安森美 (onsemi) NTH4L020N090SC1碳化硅(SiC) MOSFET与硅器件相比，具有出色的开关性能和更高的可靠性。安森美 (onsemi) MOSFET具有低导通电阻，采用紧凑的芯片尺寸，可确保低电容和低栅极电荷。因此，系统优势包括最高效率、更快工作频率、更高功率密度、更低EMI以及更小的系统尺寸。