TPH1100CQ5硅N沟道MOSFET

Toshiba TPH1100CQ5硅N沟道MOSFET是一款8引脚SMT功率MOSFET，设计采用U-MOSX-H代沟槽工艺。这些MOSFET具有改进的反向恢复特性，包括36ns快速反向恢复时间和27nC典型反向恢复电荷。TPH1100CQ5系列可降低开关电源中的功率损耗，从而提高同步整流应用的效率。Toshiba TPH1100CQ5硅N沟道MOSFET具有低漏源导通电阻和低漏电流额定值，因此非常适合用于各种电源和工业应用。典型应用包括高效直流/直流转换器、开关稳压器、电机驱动器、数据中心和通信基系统。