SQW61N65EF-GE3

Name: Vishay SQW61N65EF-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SQW61N65EF-GE3
Price: 107.75 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

78-SQW61N65EF-GE3

制造商编号：

SQW61N65EF-GE3

制造商：

Vishay / Siliconix

说明：

MOSFET TO247 650V 62A N-CH MOSFET

数据表:

SQW61N65EF-GE3 数据表

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Vishay
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-247AD-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	650 V
Id-连续漏极电流:	62 A
Rds On-漏源导通电阻:	52 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 30 V, 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4 V
Qg-栅极电荷:	229 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	625 W
通道模式:	Enhancement
资格:	AEC-Q101
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	Vishay / Siliconix
配置:	Single
下降时间:	102 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	107 ns
系列:	SQW
工厂包装数量:	480
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	252 ns
典型接通延迟时间:	65 ns
单位重量:	6 g

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数据表

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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