SIHH070N60EF-T1GE3

Vishay / Siliconix
78-SIHH070N60EFT1GE3
SIHH070N60EF-T1GE3

制造商：

说明：
MOSFET 600V PowerPAK 8x8 N-CHANNEL

数据表:
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产品属性 属性值 选择属性
Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PowerPAK-8 x 8
N-Channel
1 Channel
600 V
36 A
71 mOhms
- 30 V, 30 V
5 V
50 nC
- 55 C
+ 150 C
202 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: Vishay / Siliconix
配置: Single
下降时间: 38 ns
正向跨导 - 最小值: 10.5 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 79 ns
系列: SIHH EF
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 55 ns
典型接通延迟时间: 36 ns
单位重量: 50 mg
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已选择的属性: 0

合规代码
CNHTS:
8541290000
TARIC:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
以色列
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

Siliconix第四代EF系列MOSFET

Vishay Siliconix第四代EF系列MOSFET具有极低的品质因数 (FOM)，旨在实现高性能开关和高效率。MOSFET FOM通过导通电阻 (R (DS)ON) 乘以栅极电荷 (Qg) 计算得到。这些MOSFET基于Vishay第四代系列超级结技术，在VGS=10V时具有0.088Ω至0.225Ω的低典型导通电阻范围，此外，栅极电荷低至21nC。为提高开关性能，这些器件还具有低有效输出电容（Co(er) 和Co(tr)）， 因此可降低导通与开关损耗，从而节省能源。

SiHH070N60EF功率MOSFET

Vishay SiHH070N60EF功率MOSFET采用第四代E系列技术，具有低品质因数 (FOM) 和低有效电容。该功率MOSFET具有额定雪崩能量 (UIS)，可降低开关和导通损耗。典型应用包括服务器和电信电源、开关模式电源 (SMPS) 、功率因素校正 (PFC) 电源、电机驱动器、电池充电器和焊接。

库存量: 1,819

库存：
1,819 可立即发货
生产周期：
2 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥67.4949 ¥67.49
¥45.2452 ¥452.45
¥35.2334 ¥3,523.34
¥32.3406 ¥16,170.30
¥27.9562 ¥27,956.20
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
¥25.2329 ¥75,698.70
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

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