RJ1P10BATTL1

Name: ROHM Semiconductor RJ1P10BATTL1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RJ1P10BATTL1
Price: 49.12 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

755-RJ1P10BATTL1

制造商编号：

RJ1P10BATTL1

制造商：

ROHM Semiconductor

说明：

MOSFET Pch -100V -105A, TO-263AB, Power MOSFET : V

寿命周期:

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数据表:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	ROHM Semiconductor
产品种类:	MOSFET
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	ROHM Semiconductor
产品类型:	MOSFETs
工厂包装数量:	800
子类别:	Transistors

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合规代码

USHTS:: 8541290040
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

RJ1P10BAT P沟道功率MOSFET

ROHM Semiconductor RJ1P10BAT P沟道功率MOSFET的漏极与源极电压（VDSS）额定值为-100V，漏极连续电流（ID）额定值（VGS=10V）为±105A。该器件采用大功率TO-263AB封装，并已100%通过Rg和UIS测试。ROHM Semiconductor RJ1P10BAT的耗散功率（PD）为201W，静态漏极与源极导通电阻（RDS_(on)）为9.4mΩ（典型值）（VGS=-10V，ID=-50A）或10.4mΩ（典型值）（VGS=-6V，ID=-50A）。