BUK6Q21-30PJ

Name: Nexperia BUK6Q21-30PJ
Brand: Nexperia
SKU: 771-BUK6Q21-30PJ
Price: 10.69 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

771-BUK6Q21-30PJ

制造商编号：

BUK6Q21-30PJ

制造商：

Nexperia

说明：

MOSFET BUK6Q21-30P/SOT8002/MLPAK33

寿命周期:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Nexperia
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	MLPAK33-8
晶体管极性:	P-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	30 V
Id-连续漏极电流:	41 A
Rds On-漏源导通电阻:	21.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.7 V
Qg-栅极电荷:	23 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	56 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	Nexperia
配置:	Single
下降时间:	154 ns
正向跨导 - 最小值:	18 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	8 ns
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 P-Channel
典型关闭延迟时间:	37 ns
典型接通延迟时间:	3 ns
零件号别名:	934670273118

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数据表

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合规代码

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

BUK6Q21-30PJ MOSFET

Nexperia BUK6Q21-30PJ MOSFET是一款车规级30V P沟道增强模式FET，采用MLPAK33 (SOT8002-3) SMD塑料封装，使用了沟槽MOSFET技术。这款MOSFET具有逻辑电平兼容性，其侧部可湿润，便于进行光学焊料检测。BUK6Q21-30PJ MOSFET在正常工作期间以负模式运行，具有漏极-源极电压 (V_DS)。在漏极和源极端子之间可以安全施加的最大电压为30V。这款MOSFET采用热效率高的封装，具有小尺寸（占位面积为3.3mm x 3.3mm）。BUK6Q12-40PJ MOSFET符合AEC-Q101标准，适用于汽车应用。该MOSFET非常适用于反转极性保护、高速线路驱动器、高侧负载开关和继电器驱动器。

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数量	单价	总价
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	¥5.6839	¥56.84
	¥5.0511	¥505.11
	¥3.9437	¥1,971.85
	¥3.9098	¥3,909.80
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
	¥3.164	¥9,492.00
	¥3.1414	¥18,848.40
	¥3.0849	¥27,764.10
	¥2.9719	¥71,325.60

BUK6Q21-30PJ

制造商： Nexperia

说明： MOSFET BUK6Q21-30P/SOT8002/MLPAK33

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