2SAR579D3 PNP 1.5A 160V功率晶体管

ROHM Semiconductor 2SAR579D3 PNP 1.5A 160V功率晶体管具有低VCE(sat)，适合用作低频放大器。它用于汽车应用非常可靠，采用TO-252 (DPAK) 封装。ROHM Semiconductor 2SAR579D3的集电极-基极电压 (VCBO) 和集电极-发射极电压 (VCEO) 均为-160V，集电极电流 (IC) 额定为-1.5A。

结果: 2
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
配置
最大直流电集电极电流
集电极—发射极最大电压 VCEO
集电极—基极电压 VCBO
发射极 - 基极电压 VEBO
集电极—射极饱和电压
Pd-功率耗散
增益带宽产品fT
最大工作温度
资格
封装
ROHM Semiconductor 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 2SAR579D3FRA is a power transistor with Low VCE(sat), suitable for low frequency amplifier. It is a highly reliable product for automotive.
数据表
2,113库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 2,500
Si SMD/SMT TO-252-3 PNP Single 3 A 160 V 160 V 10 V 400 mV 10 W 67 MHz + 150 C AEC-Q101 Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 2SAR579D3 is a power transistor with Low VCE(sat), suitable for low frequency amplifier.
数据表
2,000库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 2,500
Si SMD/SMT TO-252-3 PNP Single 3 A 160 V 160 V 10 V 400 mV 10 W 67 MHz + 150 C Reel, Cut Tape